STMicroelectronics
STMicroelectronics、イタリアに50億ユーロを投資して世界初の統合型SiCウエハー施設を建設へ
・STMicroelectronicsは5月31日、イタリアのカターニア(Catania)に、パワーデバイスおよびモジュール用の新たな200mm炭化ケイ素(SiC)ウエハー大量生産施設、ならびにテストおよびパッケージング用の施設を建設すると発表した。
・同じ敷地内で準備中のSiC基板製造施設と合わせ、これらの施設はSTのSiCキャンパス(Silicon Carbide Campus)となり、自動車、産業、クラウドインフラの各アプリ
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STMicroelectronics、車載グレードMDmesh DM9スーパージャンクションMOSFET を発表
・STMicroelectronicsは3月11日、STPOWER MDmesh DM9 AGシリーズの新しい車載グレード600V/650VスーパージャンクションMOSFETを発表した。このMOSFETは車載充電器およびDC/DCコンバーター用途においてハードスイッチングとソフトスイッチングの両トポロジーで優れた効率と耐久性を発揮するという。
・このシリコンベースのデバイスはダイ面積あたりの優れたオン抵抗RDS(on)と最小限のゲー
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STMicroelectronics、中国ZINSIGHTのeコンプレッサー制御装置向けにSiC技術を提供
・STMicroelectronicsは1月18日、中国のZINSIGHT Technology (致瞻科技)のeコンプレッサー制御装置向けに第3世代炭化ケイ素(SiC)MOSFET技術を提供すると発表した。
・ZINSIGHTの制御装置は、バッテリー容量が60 kWh-90 kWhの中型電気自動車(EV)の場合、EVの航続距離を5-10km延長するなど、夏と冬に特に有効なメリットを提供する。
・ZINSIGHTは400V、800V
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