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STMicroelectronics、GaN技術で中国のInnoscienceと提携
・STMicroelectronics (ST)は3月31日、中国の半導体メーカーInnoscienceとGaN (窒化ガリウム)技術の開発・生産に関する契約を締結した。両社はこの提携に基づきGaNパワー技術を共同開発する。また、GaNウェハーの前工程においてInnoscienceはSTの中国国外の生産能力を、STはInnoscienceの中国の生産能力を利用できる。
・GaNパワーデバイスは電力変換、運動制御、操作に関するシステ....
・GaNパワーデバイスは電力変換、運動制御、操作に関するシステ....
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