・Infineon Technologies は5月19日、リビアン(Rivian)の「R2」電気SUVのプラットフォームにトラクションインバーター用パワーモジュールを供給すると発表した。「R2」プラットフォームにはInfineonのHybridPACK Drive G2ファミリーの炭化ケイ素(SiC)とシリコン(Si)モジュールが使われ2026年供給開始予定。Infineonは同プラットフォーム向けにAURIX TC3xマイクロコ

・ルネサスエレクトロニクスは5月13日、NoidaとBengaluruにあるオフィスを拡張して最先端の設計施設を開設し、開所式を開催したことを発表した。これらの拠点は3ナノメートルチップ設計に取り組むインド初の設計センターとなる。
・Bengaluruの新オフィスは、ルネサスにとってインド最大の拠点となる。世界クラスの設計チームからテストラボ、従業員をサポートする充実した設備を備えている。約500人の従業員(エンジニア、コーポレート

・インド政府内閣は5月14日、半導体政策を担う「インド半導体ミッション(ISM)」の管轄の下、インドIT大手HCLと鴻海の合弁となる半導体工場設置を承認した。HCLと鴻海は、ウッタル・プラデシュ(Uttar Pradesh)州ジュワール(Jewar)の空港近郊のヤムナ高速道路産業開発局(YEIDA)の土地に工場を建設する。
・同工場は携帯電話、ノートパソコン、自動車、PCなどディスプレイを搭載する様々な機器向けのディスプレイドライバ

・NXP Semiconductorsは、L2+からL4の自動運転向けに16nm FinFET技術を使用した第3世代のイメージングレーダープロセッサS32R47を発表した。
・過去2世代のノウハウと実績のある技術に基づいて構築されたこの新ソリューションは、高性能マルチコアレーダー処理システムを統合し、レーダーMPUの処理性能を前世代比で最大2倍に高めながら、IC実装面積を38%削減し、システムコストを低減している。より高密度な点群出

・Infineon Technologiesは5月12日、双方向の電圧と電流を能動的にブロックできる窒化ガリウム(GaN)スイッチであるCoolGaN双方向スイッチ(BDS) 650 V G5を発表した。このデバイスはコモンドレインのダブルゲート構造を採用し、同社のゲート注入トランジスタ(GIT)技術を活用することでモノリシック双方向スイッチを実現した。 
・このソリューションは電気自動車(EV)充電を含む幅広いアプリケーションで大

・Infineon Technologiesは、次世代電気自動車(EV)パワートレインの開発推進に向けVisteon Corporationと覚書を締結したと発表した。両社はInfineonの半導体式電力変換デバイス、特にワイドギャップデバイス技術の統合で協力する。ワイドギャップデバイスは電力変換アプリケーションに関してシリコン半導体より大幅に優れた性能を発揮する。
・新デバイスは電力密度、効率、熱性能が向上し、次世代電力変換モジュ

・Infineon Technologiesは5月8日、業界をリードする同社のSEMPER NORフラッシュメモリーがドイツの認証機関SGS-TÜVから機能安全に関する最高レベルの認証であるASIL-Dを取得したと発表した。外部の専門家はSEMPERのISO 26262:2018規格に基づく製品安全文書を詳細に分析したのに続き、SEMPERが車載アプリケーション向けの最も厳しい安全性能目標を満たしていることを検証した。 
・ASIL

・イタリアの企業・メイドインイタリー省(MIMIT)は5月7日、STMicroelectronicsとの間でカターニア(Catania)工場の成長と拡張を支援する契約を締結したことを発表した。
・このプログラムには、2023-2037年の期間に50億ユーロを投資することが含まれ、20億ユーロを超える公的インセンティブが提供される。
・今回の投資により、既存の工場に隣接して生産工場を増設し、前工程と後工程を統合することで、カターニア工

・Infineon Technologiesは5月8日、ドイツ連邦経済省からドレスデン(Dresden)の新工場となるスマートパワーファブ(Smart Power Fab) への資金提供の最終承認を得たと発表した。同社は、再生可能エネルギー、効率的なデータセンター、エレクトロモビリティなど、顧客の需要に応えるために拠点を拡大している。
・同社は50億ユーロの自己資金を投資し、1,000人の雇用を創出する。また、ドレスデンの合弁会社「

・デンソーとロームは、半導体分野における戦略的パートナーシップの構築に関して基本合意したと発表した。2024年9月より両社で検討・協議を進めてきたもの。
・両社はこれまでも車載向け半導体の取引や開発を通じて連携を強化してきた。今後、デンソーが持つ自動車分野での高度なシステム構築力と、ロームが持つ民生市場などで培った最先端の半導体技術を融合して、アナログICを中心に自動車の電動化や知能化を支えるデバイスのラインナップ補完や開発面での連

・オランダのNexperiaは5月6日、電動損失に影響するRDS (on) (ドレイン・ソース間オン抵抗)の値が30、40、60 mΩの高効率で堅牢な車載用炭化ケイ素(SiC) MOSFET製品群を発表した。 
・これらのデバイスは従来産業グレードで提供されていたが今回AEC-Q101認証を取得し、電気自動車(EV)の車載充電器(OBC)やトラクションインバーター、DC/DCコンバーター、暖房換気、HVACなどの車載アプリケーション

・オランダのNexperiaは4月29日、新たに16種類の低VF最適化プレーナーショットキーダイオードをCFP2-HPパッケージで提供を開始すると発表した。このポートフォリオには8つの産業用製品と8つのAEC-Q101認定製品が含まれる。今回のリリースによりデバイスのSMA/B/Cパッケージを設置面積が小さいCFPパッケージに置き換えたいというメーカーのトレンドに応える。
・これらのダイオードはDC/DC変換、フリーホイール、逆極性

・Infineon Technologies (インフィニオン)は5月5日、新しいCoolSiC JFET製品ファミリーを発表した。CoolSiC JFETは高い短絡耐量、リニアモードでの熱安定性、高精度過電圧制御を備え、車載バッテリー遮断スイッチなど産業用や自動車用の幅広いアプリケーションで信頼性と効率に優れたシステム性能を提供する。
・新製品となる第1世代CoolSiC JFETは1.5 mΩ（750 V BDss）もしくは2.

・Infineon Technologiesは5月6日、シリコンカーバイド(SiC)の技術的可能性を拡張する新たな技術として、トレンチ構造ベースのSiCスーパージャンクション(TSJ)技術コンセプトを発表した。トレンチ技術とスーパージャンクション技術を組み合わせることで、より高い電力効率とコンパクトな設計が可能となる。Infineonは、このTSJ技術を活用し、自社のCoolSiC製品ポートフォリオを段階的に拡大していく予定である。

・半導体設計用EDA (電子設計自動化)大手の米Cadence Design Systemsは4月24日、台湾積体電路製造(TSMC)との長年にわたる協業をさらに深化させ、認定済み設計フロー、シリコン実証済みIP、継続的な技術提携を通じて、3D-ICおよび先進ノード技術のシリコン実現までの期間を加速すると発表した。 
・Cadenceは、TSMCのN2P、N5、N3プロセスノード向けIPの主要プロバイダーとして、チップレットやSoC

・イスラエルの半導体メーカーValens Semiconductorは4月22日、中国市場にMIPI A-PHYソリューションを提供するため中国のESWIN Computing（奕斯偉計算）と提携すると発表した。
・この提携により中国の自動車メーカーは中国製のセンサー・ディスプレイ接続用MIPI A-PHYチップセットを利用できるようになる。両社は4月23日から5月2日まで開催される上海モーターショー2025でソリューションを展示す

・Infineon Technologiesは4月24日、自動運転アプリケーションの機能安全をサポートするXENSIV TLE4960x磁気スイッチファミリーを発表した。 
・これらのスイッチはウィンドウレギュレーター、サンルーフアクチュエーター、シート調節システムなど幅広い自動車用途に対応可能で現在入手できる唯一のASIL B準拠デバイスである。 
・TLE4960xのセンサーはZ方向(回路基板に対して垂直方向)からの磁界を検出し

・エストニア投資庁(Invest Estonia)は4月25日、エストニアが新たな半導体センターを立ち上げると発表した。これはEUのDigital Europeプログラムとエストニア経済省が共同出資する240万ユーロの構想でAS Metrosert、Enterprise Estonia、Estonian Electronics Industry Associationが戦略的コンソーシアムに参加する。
・新センターはエストニア企業の