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半導体

米国 韓国

SK Hynix、米ナスダック上場へ、290億ドル規模のIPO申請

・韓国の半導体大手SK Hynixは6月24日、米証券取引委員会(SEC)に対し、米国預託株式(ADS)をナスダック市場に上場するための申請を正式に行ったと発表した。調達額は約290億ドルを見込んでいるが、発行株数などの詳細は現時点で未定としている。上場時期は、早ければ7月となる可能性がある。
・SK Hynixはカリフォルニア州サンノゼ(San Jose)に米国本社を構える。SECへの提出資料によると、今回の新規株式公開(IPO)

ドイツ

Infineon、マイクロコントローラー評価用のAWSベース・クラウド型仮想プラットフォームを発表

・Infineon Technologiesは6月22日、Amazon Web Services (AWS)との協業を発表した。車載システムの開発期間短縮に向け、マイクロコントローラー(MCU)の評価を迅速化する。InfineonはAWSを活用し、車載MCUを仮想環境で評価できるクラウド型プラットフォームを投入する。
・新プラットフォームは実機への依存をなくし、評価期間の短縮とユーザー1人当たりの評価コストの大幅な削減に寄与するもの

中国

理想汽車、初の動的データフローAIチップ「馬赫 M100」を発表

・理想汽車(Li-Auto)は6月15日、ソフトウェアとエンボディドAI (身体性AI)の発表イベント「Livis Day」を開催した。その中で理想汽車はエンボディドAI搭載車を「1台の電動車＋1人のプロフェッショナルドライバー＋1台のAIコンピューター＋1人のライフアシスタント」と定義するとともに、初の動的データフローAIチップ「馬赫(Mach) M100」を正式発表した。
・「馬赫M100」チップは車載グレードの5nmプロセスを

オランダ 英国

CGDとNXP、データセンターおよび車載市場向け窒化ガリウムベースの電力ソリューションを推進

・Cambridge GaN Devices (CGD) とNXP Semiconductorsは、車載、産業機器、およびデータセンター向けのGaN (窒化ガリウム) ベースの電力変換ソリューションを開発するための長期的な協力関係を締結したと発表した。
・両社は、これらの高成長市場でGaNの採用を加速させることを目指している。これによりNXPは、CGDのGaN製品と技術を活用したGaNベースのシステムソリューションを開発できるように

ドイツ オランダ

独IAVと蘭Nexperia、高電圧アーキテクチャ向けONE Inverterコンセプトを発表

・ドイツのエンジニアリング企業IAV は6月11日、オランダのNexperiaと共同でONE Inverterコンセプトを発表した。本コンセプトはNexperiaのGaNおよびSiC技術をIAVのソフトウェア定義システムおよびバッテリーエンジニアリングに関する専門知識と組み合わせ、eモビリティ向けの次世代高電圧アーキテクチャを追求するものである。ONE Inverterコンセプトは実験室レベルの実証機で検証済みで、両社がAABC E

オランダ ドイツ

蘭Nexperia、EV用途向けSiCパワーモジュールでSemikron Danfossと提携

・オランダのNexperiaは6月9日、車載トラクションインバーター用途向けの炭化ケイ素(SiC)ベースのパワーモジュールで協業するため、パワーモジュールメーカーのSemikron Danfossと覚書(MoU)を締結した。
・本提携は、NexperiaのSiC半導体に関する専門知識とSemikron Danfossのパワーモジュール統合能力を組み合わせ、次世代電気自動車(EV)向けの高性能かつ拡張性のあるソリューションを評価するこ

ドイツ 中国

納芯微電子、ドイツのPCIM Europeでeモビリティ部品向けIC製品を展示

・車載用チップメーカーの蘇州納芯微電子股份有限公司(Suzhou Novosense Microelectronics Co., Ltd.)は6月10日、ドイツのニュルンベルク(Nuremberg)で開催されたPCIM Europe 2026において、トラクションインバーター、OBC (車載充電器)、およびDC-DCコンバーター向けのIC製品を展示したと発表した。 
・納芯微電子は、SiCおよびIGBTパワーステージ向けに設計された

ドイツ 米国

米Skyworks、独PCIM 2026でEVインバーター向け機能安全対応ゲートドライバーを発表

・米国の半導体メーカーSkyworks Solutionsは6月9日、ドイツで開催されたPCIM 2026 (パワーエレクトロニクス・インテリジェントモーション展示会)において、電気自動車(EV)のトラクションインバーター向けに、新しい絶縁型の機能安全対応ゲートドライバー「Si829x」を発表した。Si829xはISO 26262の機能安全規格に基づいて開発されており、ASIL Dまでの機能安全システムに対応し、次世代EVトラクショ

オランダ

蘭Nexperia、放熱性能に優れたQDPAKパッケージ採用の1200V SiC MOSFETを発表

・オランダのNexperiaは6月9日、高出力かつ優れた熱性能を実現するパワー半導体用パッケージ「QDPAK」を採用した1200V炭化ケイ素(SiC) MOSFETを発表した。本デバイスは、放熱管理と機構設計(実装)を簡素化しながら、同社のSiC技術による電気的性能を発揮し、コンパクト設計における高出力化、効率向上、熱性能の改善を可能にする。製品は産業用途グレードと車載認定品の両方が用意されている。
・本製品ポートフォリオでは、オン

米国

米indie、自動車およびロボティクスの認識システムを駆動するエッジAI SoCを発表

・米カリフォルニア州アリソ・ビエホ(Aliso Viejo)に拠点を置く車載半導体・ソフトウェア企業indie Semiconductorは6月10日、自動車、ロボティクス、およびフィジカルAIアプリケーションにおけるインテリジェントカメラ向けに設計された次世代エッジAIシステム・オン・チップ(SoC)「iND881」を発売したと発表した。 
・iND881は、ニューラルプロセッシングユニット(NPU)、デジタルシグナルプロセッサ(

オランダ

NXP、次世代ADAS向け車載レーダーSoC「SAF8444」を発表

・NXP Semiconductors N.V. は、エコノミークラスやエントリーレベルのモデルを含む幅広い車種で先進的なL2およびL2+ ADAS機能を実現する新しいレーダーシステムオンチップ (SoC)「SAF8444」を発表した。
・このチップは、熱管理とシステム統合を簡素化することで、消費電力と的なシステム全体のコストの削減に貢献し、電気自動車(EV)での採用に適している。NXPの28nm RFCMOSレーダーワンチップアー

インド

Bosch、インドで第3世代SiC半導体の新製品を発表

・Bosch Limitedは 6月10日、最新の第3世代炭化ケイ素(SiC)半導体をインドで発表した。BoschのGen 3 SiCテクノロジーは、エネルギー損失の低減、熱性能の向上、システムの複雑さと冷却要件の緩和により、よりコンパクトで効率的なパワーエレクトロニクス設計を可能にする。
・この製品によりパフォーマンスが20%向上し、EVの航続距離の延長、バッテリー効率の向上、バッテリーサイズを大きくすることなく所有コストの削減が

米国 韓国

NVIDIAとSK Hynix、AI工場向けメモリ開発で提携

・NVIDIAは6月7日、SK Group傘下のSK Hynixとの間で、NVIDIAのAIインフラロードマップに沿った次世代メモリに関する複数年のパートナーシップを発表した。この契約は、AI工場のグローバルな構築のために、先進メモリ、開発サイクルの延長、先進製造技術、および設備投資をサポートする。
・SK Hynixは、NVIDIAが創出するAIインフラ、パーソナルAI、フィジカルAIの分野などの新市場に事業を多角化し、NVIDI

日本

三菱電機、パワー半導体「第5世代SiC-MOSFETチップ」を開発　従来比25%低減した低オン抵抗を実現

・三菱電機は6月4日、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHV)などの電動車(以下、xEV)の駆動モーター用インバーターやeAxleに使用される新しいSiC-MOSFETチップを開発したと発表した。
・独自のトレンチ構造を持つ第5世代SiC-MOSFETチップで、従来品から約25％低減した低オン抵抗を実現。xEV用インバーターの性能向上や小型化を可能とし、xEVの航続距離の延伸や電費改善に貢献する。2品種のサンプル提供を

英国

英CGD、インバーター効率向上に向け650V GaN ICを開発

・英国のファブレス半導体企業Cambridge GaN Devices (CGD)は6月4日、車載向け650V GaN(窒化ガリウム) IC「ICeGaN」を開発したと発表した。OEMの設計者はICeGaNを用いることで、電気自動車(EV)の航続距離延長に寄与するより小型・軽量なインバーターを開発できる。ICeGaNのインターフェースは、性能特性が近いデバイスを選別したり、バランス調整用部品を追加したり、複雑な追加設計などを行ったり

米国

自動車OEMや業界団体、米国でのメモリー半導体不足による価格への影響を警告

・6月3日付のロイター(Reuters)の報道によると、自動車OEM各社やその他の業界団体が米国財務省と商務省に書簡を送付した。同書簡では、AIデータセンターの増加によりメモリー半導体市場の需給不均衡が急速に深刻化し、近い将来、米国の消費者向け価格が大幅かつ継続的に上昇するとともに、重要なサプライチェーンが混乱する恐れがあると警告している。
・この警告は、米国政府がメモリー半導体の生産拡大に数十億ドル規模の補助金を投じている中で発せ

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