英飞凌科技于5月19日宣布将为Rivian的电动SUV“R2”平台供应牵引逆变器功率模块。“R2”平台将采用英飞凌的HybridPACK Drive G2系列的碳化硅和硅模块，计划2026年开始供货。英飞凌还将为该平台供应AURIX TC3x微控制器和电源管理IC。
作为马来西亚居林工厂扩建项目的一部分，英飞凌正在建设全球最具竞争力的200毫米碳化硅功率半导体工厂。居林工厂作为用于高度创新的宽带隙(WBG)技术的“英飞凌虚拟工厂(I

5月13日，瑞萨电子宣布已扩建其位于诺伊达和班加罗尔的办事处，并开设了尖端设计设施，同时举行了开幕仪式。这些基地将成为印度首个专注于3纳米芯片设计的设计中心。
班加罗尔新办事处将成为瑞萨电子在印度最大的基地，坐拥世界一流的设计团队、测试实验室以及为员工提供支持的完善设施。约500名员工（包括工程师、公司员工以及近年收购的Altium与Part Analytics的员工等）齐聚一堂，共同协作。
诺伊达新办事处将加快提供世界一流的高性能

国芯科技国芯科技宣布，与安波福（中国）科技研发有限公司（安波福）正式签署战略合作框架协议，开启在汽车控制器领域的深度合作，携手推进汽车核心芯片国产化应用。
此次合作聚焦于加速国产汽车核心芯片的应用进程，双方将共同探索长期稳定的共赢商业模式。
国芯科技凭借其在高性能多核 MCU、座舱主动降噪 DSP、信号链接口、传感器芯片、车联网信息安全芯片等领域的技术和量产经验，为安波福提供全方位的技术支持。
（摘自2025年5月19日国芯科技官方

恩智浦发布采用16纳米FinFET技术的第三代S32R47成像雷达处理器，可满足L2+至L4级自动驾驶要求。
新一代解决方案基于前两代产品的专业知识和成熟技术开发，集成了高性能多核雷达处理系统，雷达微处理器性能提升高达两倍，芯片体积缩小38%，系统成本更低。S32R47可输出更密集的点云数据并支持AI和机器学习，能实现更强的到达角估计（DoA）处理等功能。这些功能提升了物体可分性、检测可靠性和物体分类精度（如检测弱势道路使用者和遗落

印度内阁于5月14日批准印度IT巨头HCL和鸿海在负责半导体政策的印度半导体任务使团管辖下设立一家合资半导体工厂。HCL和鸿海将在北方邦杰瓦尔机场附近由亚穆纳高速公路工业发展局运营的土地上建造工厂。
该工厂将为各种配备显示屏的设备生产显示驱动器集成电路，包括手机、笔记本电脑、汽车和个人电脑。计划月产2万片晶圆，3,600万个半导体，投资370亿卢比。
Based on PIB press release id 2128604

英飞凌宣布已与伟世通签署谅解备忘录，以推进下一代电动汽车动力总成的开发。两家公司将合作整合英飞凌的半导体功率转换器件，尤其是宽带隙器件技术。在功率转换应用方面，宽带隙器件较硅基半导体具有显著的性能优势。
新器件具有更高的功率密度、效率和热性能，有助于提高下一代功率转换模块的效率并降低系统成本。伟世通未来动力总成应用将集成英飞凌的CoolGaN（氮化镓）和CoolSiC（碳化硅）器件，适用于电池接线盒、DC/DC转换器和车载充电器等。

5月7日，意大利商业和制造部(MIMIT)宣布与意法半导体(STMicroelectronics)签署协议，支持其卡塔尼亚工厂的增长和扩建。
该计划包括在2023年-2037年投资50亿欧元，并提供超过20亿欧元的公共激励措施。
通过此次投资，该公司将在现有工厂附近增加额外的生产设施，并整合前端和后端工程，以覆盖卡塔尼亚工厂的整个生产链，实现每周稳定生产15,000片晶圆的目标。此次投资继计划于2026年竣工的电路板制造厂之后进行。

5月8日，英飞凌科技公司(Infineon Technologies)宣布，其位于德累斯顿的新智能电源工厂(Smart Power Fab)的资金申请已获得德国联邦经济部的最终批准。该公司正在扩大基地，以满足客户在可再生能源、高效数据中心和电动汽车方面的需求。
该公司将投资50亿欧元自有资金并创造1,000个就业岗位。该公司还投资了位于德累斯顿的合资企业欧洲半导体制造公司(ESMC)。智能电力工厂的建设正在按计划进行，预计2026年

5月5日，英飞凌推出全新CoolSiC JFET产品系列。CoolSiC JFET具备强大的短路保护能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制，可在广泛的工业和汽车应用（如动力电池断路开关）中提供可靠且高效的系统性能。
第一代全新CoolSiC JFET拥有最低值为1.5mΩ（750VBDss）/2.3mΩ（1,200VBDss）的超低RDS(ON)，可显著减少导通损耗。该器件采用Q-DPAK顶部冷却封装，易于并联，并支持可扩展的

4月29日，荷兰安世(Nexperia)宣布将新推出16款采用CFP2-HP封装的低VF优化平面肖特基二极管。该产品阵容包括8款工业级产品和8款通过AEC-Q101认证的产品。本次新产品的问世顺应了厂商希望使用更小尺寸的CFP封装器件取代SMA/B/C型封装器件的发展趋势。
这些二极管适用于DC/DC转换、续流、防反保护、OR-ing应用等。为最大限度地提高设计灵活性，该产品组合提供20V至60V的反向电压VR(最大值)和1A至2A

5月6日，荷兰安世(Nexperia)推出高效坚固的车规级碳化硅MOSFET产品阵容，影响功率损耗的RDSon(漏源导通电阻)值分别为30、40和60mΩ。
这些器件此前仅提供工业级版本，现已通过AEC-Q101认证，可用于电动汽车车载充电器(OBC)、牵引逆变器、DC/DC转换器、供暖通风和暖通空调等汽车应用。器件采用日益普及的D2PAK-7表面贴装式封装。
新型碳化硅MOSFET具有业界领先的温度稳定性，在25°C至175°C的

电装与罗姆宣布，双方已就建立芯片领域战略合作关系达成基本协议。两家公司自2024年9月起就已在讨论和探讨此事。
此前，两家公司通过车规级芯片交易和开发加强了合作关系。未来，双方将通过结合电装在汽车领域先进的系统构建能力，以及罗姆在消费等市场积累的尖端芯片技术，深化合作，如重点围绕模拟IC加强支持汽车电动化与智能化的相关元器件产品阵容及开发项目。此外，两家公司还将探讨在彼此芯片业务中具备高度亲缘性的领域开展更广泛的合作。
(摘自202

英飞凌于4月24日发布了XENSIV TLE4960x磁性开关系列，助力自动驾驶应用中的功能安全。
这些开关是目前唯一符合ASIL B标准的设备，可广泛用于车窗调节器、天窗执行器和座椅调节系统等汽车应用。
TLE4960x的传感器检测来自Z方向(垂直于电路板)的磁场，并通过开漏输出提供速度数据。该产品功耗低(1.6mA)，具有过流和过热保护功能，可在-40℃～175℃的温度范围内可靠运行，因此非常适合恶劣的车载环境。
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美国半导体设计领域领先的电子设计自动化公司Cadence Design Systems于4月24日宣布，将进一步深化与台积电(TSMC)的长期合作，通过认证的设计流程、经过硅验证的IP和持续的技术协作，加快3D-IC和先进节点技术的硅化时间。 
作为台积电的N2P、N5、N3工艺节点IP的主要供应商，Cadence持续为台积电生态系统提供尖端人工智能驱动型设计解决方案，适用于从芯片和SoC到先进封装、3D-IC等广泛应用。
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苏州纳芯微电子股份有限公司（纳芯微电子）与大陆旗下汽车子集团宣布拓展双方的战略合作关系，将就系统基础芯片（SBC）和低边开关开展合作，旨在进一步提升现代车辆系统的安全性和效率。
纳芯微电子与大陆将合作开发SBC和低边开关，并将两者集成到大陆的全球平台中。上述SBC将整合电压调节、通信和检测等功能，以改善产品可靠性和性能。SBC主要用于控制模块，而低边开关则用于车灯、电机和继电器等控制部件。（摘自2025年4月22日公告）

4月22日，以色列半导体制造商Valens Semiconductor宣布与奕斯伟计算达成合作，共同为中国市场提供MIPI A-PHY解决方案。此次合作将为中国车企带来本地生产、具备量产条件的MIPI A-PHY芯片组，相关产品将用于传感器和显示屏连接。双方将在4月23日至5月2日举办的上海车展上展出该联合解决方案。
凭借Valens在A-PHY标准方面的专业技术以及奕斯伟计算对于本土市场的深厚理解，双方将有效应对中国市场对MIPI

英飞凌科技股份公司于4月23日宣布，将在2025年欧洲电力电子系统及元器件(PCIM Europe)（5月6日至8日，纽伦堡）上展示最新的半导体、软件和工具解决方案。
新的解决方案支持高效的牵引逆变器、车载充电器、DC/DC转换器和电池管理系统，以加速向电动汽车的过渡。
在PCIM上展示的包括用于xEV功率转换的AURIX套件，这是一个用于开发具有各种拓扑和控制方法的数字控制DC/DC转换器的通用平台其他展品还包括具有增强性能和设计

意法半导体 (ST)于4月16日宣布推出新型汽车用Stellar微控制器，其汽车微控制器Stellar系列嵌入新一代扩展存储器“xMemory”。
这简化了软件定义汽车的开发和电动化平台的构建。将首次搭载于以电动汽车的新驱动系统趋势和架构为目标的微控制器Stellar P6上，预计2025年下半年开始生产。
Stellar with xMemory无需管理具有不同内存选项的多个设备并产生相关的开发和认证成本，而是引入了具有可扩展内存

芬兰高科技碳纳米材料开发商Canatu宣布，已与电装签署为期一年的联合开发协议（JDA），以提高公司碳纳米管（Canatu CNTs）的性能。
该JDA以两家公司于2024年签署的谅解备忘录（MoU）为基础，将促进CNT的性能提升、高性能反应器的开发以及ADAS摄像头和全挡风玻璃加热系统等的商业化落地。目标是优化CNT的薄层电阻与透射率的比率，以在不影响透光率的情况下实现高导电性。
根据Canatu的披露政策，该合同金额在“中等规模

4月14日，英伟达宣布已开始在台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的工厂内启动了Blackwell芯片的生产，该工厂由英伟达与台积电共同运营。同时，英伟达继续致力于在德克萨斯州的休斯顿和达拉斯各建设一座工厂，两座工厂将由英伟达分别联手富士康和纬创共同运营，预计将在未来12-15个月内投入量产。
此外，英伟达还与安靠（Amkor）和矽品（SPIL）合作，在亚利桑那州共同开展封装和测试业务。
英伟达计划在未来四年内联手台积电、富士康、纬创、安