・Infineon Technologiesは7月2日、300mmウェハーのスケーラブルなGaN生産が軌道に乗り2025年第4四半期に最初のサンプルを顧客に提供すると発表した。300mm GaNの量産対応が整ったことで、GaN製品のコストを同等のシリコン製品に近づけつつ顧客に最高の価値を提供できる。 
・Infineonは既存の量産インフラで300mm GaNパワーウェハー技術の開発に成功した最初の半導体メーカーとなった。GaNパワ

・Infineon Technologiesは6月30日、米テキサス州オースティン(Austin)にある200mmファブ(シリコンウェハー工場)の売却を完了した。2025年2月に発表されたように米国の半導体開発・生産会社SkyWater Technologyが現在の従業員とともに工場の運営を引き継ぎ、さらに発展させて複数の顧客をサポートする。 
・両社はこうした状況の中で、Infineonが米国で強力、効率的、拡張可能な生産拠点を維

・コネクテッドソリューションのグローバルリーダーであるIDEMIA Secure Transactionsは6月25日、半導体大手のInfineon Technologiesと提携し、次世代の車両アクセスにおける課題への対応を進めると発表した。
・この提携では、Infineonの電子機器とIDEMIAのセキュアなソフトウェアおよびクラウドソリューションを組み合わせることで、自動車の安全性、品質、サイバーセキュリティの向上を支援する。

・タタ・グループのエレクトロニクス・エンジニアリングサービス会社Tata Elxsiは6月18日、Infineon Technologiesとアプリケーション対応の電気自動車(EV)ソリューションを共同開発する覚書を締結した。提携の目的は二輪車、三輪車、乗用車、商用車を含む主要なモビリティセグメントに向けてInfineonの技術をベースとする速やかに導入可能なEVシステムを提供することである。 
・この提携ではTata Elxsiの

・Infineon Technologiesは6月12日、PSOC 4 HVマイクロコントローラー(MCU)プラットフォームの拡張として、「PSOC 4 HVMS」製品ファミリーを発表した。スペース制約のあるセンシングおよびアクチュエーター用途向けに設計された本製品には、高電圧機能と高度なアナログセンシングが統合されている。 
・PSOC 4 HVMSは、タッチボタンやスライダー、ステアリングホイールにおけるハンズオン検出といったH

・Infineon Technologiesは6月10日、自動車シャシーアプリケーションの性能向上に向けた誘導式センサーXENSIV TLE4802SC16-S0000を発表した。このセンサーはSENTまたはSPCプロトコルによるデジタル出力をサポートし外部磁場に強い高精度のトルク・角度測定を可能にする。 
・XENSIV TLE4802SC16-S0000はシールドを追加せずに高精度センシングを実現できる。トルク・操舵角測定やペダ

・Infineon Technologiesは6 月 5 日、ハードウェア・イン・ザ・ループ(HIL)シミュレーションソリューションの有力プロバイダーTyphoon HILとの提携を発表した。xEV パワートレインシステムの主な要素を対象とする完全統合型リアルタイム開発・試験環境を提供する。 
・InfineonのAURIX TC3x/TC4xマイクロコントローラーを使う自動車エンジニアは、このソリューションによりモータードライブ、

・インドの新興電動二輪車メーカーAther Energyと、半導体プロバイダーInfineon Technologiesのシンガポール法人Infineon Technologies Asia Pacificは5月28日、韓国・ソウルにおいて、インドの電気自動車(EV)業界における技術革新を共同で推進するための覚書(MoU)を締結したと発表した。この提携により、両社は車両の安全性とユーザー体験の向上を目的に、センシングおよび安全技術分

・Infineon Technologies は5月19日、リビアン(Rivian)の「R2」電気SUVのプラットフォームにトラクションインバーター用パワーモジュールを供給すると発表した。「R2」プラットフォームにはInfineonのHybridPACK Drive G2ファミリーの炭化ケイ素(SiC)とシリコン(Si)モジュールが使われ2026年供給開始予定。Infineonは同プラットフォーム向けにAURIX TC3xマイクロコ

・Infineon Technologiesは5月12日、双方向の電圧と電流を能動的にブロックできる窒化ガリウム(GaN)スイッチであるCoolGaN双方向スイッチ(BDS) 650 V G5を発表した。このデバイスはコモンドレインのダブルゲート構造を採用し、同社のゲート注入トランジスタ(GIT)技術を活用することでモノリシック双方向スイッチを実現した。 
・このソリューションは電気自動車(EV)充電を含む幅広いアプリケーションで大

・Infineon Technologiesは、次世代電気自動車(EV)パワートレインの開発推進に向けVisteon Corporationと覚書を締結したと発表した。両社はInfineonの半導体式電力変換デバイス、特にワイドギャップデバイス技術の統合で協力する。ワイドギャップデバイスは電力変換アプリケーションに関してシリコン半導体より大幅に優れた性能を発揮する。
・新デバイスは電力密度、効率、熱性能が向上し、次世代電力変換モジュ

・Infineon Technologiesは5月8日、業界をリードする同社のSEMPER NORフラッシュメモリーがドイツの認証機関SGS-TÜVから機能安全に関する最高レベルの認証であるASIL-Dを取得したと発表した。外部の専門家はSEMPERのISO 26262:2018規格に基づく製品安全文書を詳細に分析したのに続き、SEMPERが車載アプリケーション向けの最も厳しい安全性能目標を満たしていることを検証した。 
・ASIL

・Infineon Technologiesは5月8日、ドイツ連邦経済省からドレスデン(Dresden)の新工場となるスマートパワーファブ(Smart Power Fab) への資金提供の最終承認を得たと発表した。同社は、再生可能エネルギー、効率的なデータセンター、エレクトロモビリティなど、顧客の需要に応えるために拠点を拡大している。
・同社は50億ユーロの自己資金を投資し、1,000人の雇用を創出する。また、ドレスデンの合弁会社「

・Infineon Technologies (インフィニオン)は5月5日、新しいCoolSiC JFET製品ファミリーを発表した。CoolSiC JFETは高い短絡耐量、リニアモードでの熱安定性、高精度過電圧制御を備え、車載バッテリー遮断スイッチなど産業用や自動車用の幅広いアプリケーションで信頼性と効率に優れたシステム性能を提供する。
・新製品となる第1世代CoolSiC JFETは1.5 mΩ（750 V BDss）もしくは2.

・Infineon Technologiesは5月6日、シリコンカーバイド(SiC)の技術的可能性を拡張する新たな技術として、トレンチ構造ベースのSiCスーパージャンクション(TSJ)技術コンセプトを発表した。トレンチ技術とスーパージャンクション技術を組み合わせることで、より高い電力効率とコンパクトな設計が可能となる。Infineonは、このTSJ技術を活用し、自社のCoolSiC製品ポートフォリオを段階的に拡大していく予定である。

・Infineon Technologiesは4月24日、自動運転アプリケーションの機能安全をサポートするXENSIV TLE4960x磁気スイッチファミリーを発表した。 
・これらのスイッチはウィンドウレギュレーター、サンルーフアクチュエーター、シート調節システムなど幅広い自動車用途に対応可能で現在入手できる唯一のASIL B準拠デバイスである。 
・TLE4960xのセンサーはZ方向(回路基板に対して垂直方向)からの磁界を検出し

・Infineon Technologiesは4月23日、パワーエレクトロニクス関連の国際見本市PCIM Europe 2025 (5/6-8 Nuremberg)で最新の半導体、ソフトウェア、ツールソリューションを紹介すると発表した。
・新たなソリューションにより効率的なトラクションインバーター、車載充電器、DC/DCコンバーター、バッテリー管理システムを実現してeモビリティへの移行を加速させる。 
・PCIMで発表されるのは、様

・Infineon Technologiesは4月22日、Marelliとの提携により新しいMEMSレーザービームスキャン(LBS)システムを使用して自動車ディスプレイ技術を進化させたことを発表した。InfineonのLBSテクノロジーをベースにしたこの技術により、Marelliは従来のディスプレイを超える没入型のあるコックピット体験を生み出すことができる。
・InfineonのMEMS LBSシステムは、完全に自動車用にデザインさ

・Infineon Technologiesは4月16日、400 Vと800 Vシステムに対応したEDT3 (第3世代電気ドライブトレイン)チップ及び800 Vシステム専用のRC-IGBT (逆導通絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)チップを発表した。新世代のEDT3は高負荷時でも総損失を最大20%削減しつつ低負荷時の効率を維持している。EDT3チップを採用した電気自動車(EV)は航続距離の延長とエネルギー消費量の削減により持続可能