Infineon
独Infineon、車載アプリケーション向け新製品OptiMOS 7 MOSFETを発表
・Infineon Technologiesは6月12日、車載アプリケーション向け次世代OptiMOS 7 MOSFETを発表した。40V製品ポートフォリオに堅牢な鉛フリーパッケージのデバイスが追加された。80Vおよび100VのOptiMOS 7 MOSFETも入手可能となった。
・OptiMOS 7 MOSFETは電動パワーステアリング、ブレーキシステム、パワースイッチ、バッテリー管理システム(BMS)、電子ヒューズボックス、D
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Infineon、電力管理アプリケーション向けの車載用新型トランジスタMOSFETを発表
・Infineon Technologiesは6月7日、電力管理アプリケーション向けの車載用トランジスタ600V CoolMOS S7TAスーパージャンクションMOSFETを発表した。
・この製品は接合温度検出精度を大幅に改善した組込温度センサーを採用している。各種車載電子機器にとって不可欠な優れたオン抵抗R DS (on)と検出精度を実現しており、過電流しきい値も高いため特にソリッドステートリレー(SSR)アプリケーションに最適で
![](/statics/news/2024/infineon_20240607_thumbnail.jpg)
Infineon、独ドレスデンで50億ユーロの新半導体工場の最終建設段階がスタート
・Infineon Technologiesは5月30日、ドイツ・ドレスデン(Dresden)のスマートパワーファブが最終建設段階に入ったと発表した。ザクセン自由州の首相により、ザクセン州総局が発行した新しいファブ建設許可証の最後の1枚が正式に手渡された。
・製造開始は2026年を予定しており、投資額は50億ユーロとなる見込み。この新半導体生産工場で製造される製品は、自動車および再生可能エネルギー産業で使用される予定である。
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フラウンホーファー研究機構、Infineonのスマートパワー技術製品向けプロセスモジュール開発を支援
・フラウンホーファー研究機構フォトニック・マイクロシステム研究所(IPMS)は5月21日、Infineonのドレスデン(Dresden)工場におけるスマートパワー技術製品用半導体の生産に使われる300mmプロセスの開発を支援していると発表した。両者はこの協力により2,000枚を超えるウェハーの加工に成功した。
・IPMSは300mmウェハーのCMOSプロセスバリューチェーン全体の中で必要とされるプロセスモジュールを供給している。I
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Infineon、安全性が重視される自動車シャシーシステム用新角度センサーファミリーを発表
・Infineon Technologiesは5月15日、優れた漂遊磁界耐性と高精度を兼ね備えた新しいXENSIV TLE49SR角度センサーファミリーを発表した。このセンサーは、電動パワーステアリングや車高調整など、高い安全性が重視される自動車シャシーシステム用途に最適である。
・XENSIV TLE49SRファミリーの全製品は、最大8mTの漂遊磁界に耐えられる。このセンサーは、自動車のハイブリッド化と電動化のためのISO114
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Infineon、小米汽車「SU7」 EVに各種製品を提供
・Infineon Technologiesは5月6日、先日発表された小米汽車(Xiaomi)の「SU7」電気自動車(EV)向けに炭化ケイ素(SiC)パワーモジュールHybridPACK Drive G2 CoolSiCとベアダイ製品を2027年まで提供すると発表した。
・InfineonのCoolSiCベースのパワーモジュールは、高温動作が可能でクラス最高の性能、ドライビングダイナミクス、寿命を実現している。この技術を利用したト
![](/statics/news/2024/Xiaomi_20240506_thumbnail.jpg)
Infineon、車載モーター制御用ゲートドライバーICを発表
・Infineon Technologies (インフィニオン)は4月19日、MOTIX TLE9140EQWを発表した。TLE9140は要求の厳しい24V/48V市場をターゲットとしたブラシレスDCモーター用ゲートドライバーICで、24Vから最大72Vまでの高電圧に対応し、高いシステム信頼性と高速スイッチング動作が求められる車載モーター制御アプリケーション向けに設計されている。
・代表的なアプリケーションはポンプやファン、フロント
![](/statics/news/2024/MOTIX_20240419_thumbnail.jpg)
吉利とInfineon、浙江省にイノベーション応用センターを設立
・吉利汽車は4月8日、独車載半導体メーカーInfineonの中国法人である英飛凌科技(中国)有限公司(Infineon Technologies (China) Co., Ltd.)と共同で、浙江省にある寧波杭州湾吉利汽車研究院内にイノベーション応用センターを設立したと発表した。
・双方は新設する同センターを通してeパワートレイン、コックピット、ドメイン制御/ゾーン制御、シャシー、ADASなどの領域で協業し、新製品や新ソリューション
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Infineon、AURIXマイコン向けにRustエコシステムを拡張
・Infineon Technologiesは4月5日、HighTec EDV-SystemeなどのパートナーとともにAURIXマイクロコントローラ向けのRustエコシステムを拡張したと発表した。
・独自のメモリー保護機能を持つRustプログラミング言語は車載ソフトウェア開発においてC/C++言語を補完もしくは代替する可能性がある言語として浮上している。HighTecはAURIX TC3xおよびTC4x向けにISO 26262 A
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Infineon、電力密度を向上させた新しいCoolSiC MOSFET 2000 Vを発表
・インフィニオン(Infineon Technologies) は3月12日、電力密度向上を求める設計者の要求に応える新製品CoolSiC MOSFETs 2000 Vを発表した。耐圧2,000Vの初のディスクリート炭化ケイ素(SiC)バイスが沿面距離14mm、空隙距離5.4mmのTO-247PLUS-4-HCCパッケージに収められている。このデバイスは太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、電気自動車の充電アプリケーションに最適である
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Infineon、次世代SiC MOSFETトレンチ技術を発表
・Infineon Technologiesは3月5日、次世代炭化ケイ素(SiC) MOSFETトレンチ技術を発表した。第2世代となるCoolSiC MOSFET 650 V/1200 V G2は出力容量や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能が前世代より最大20%改善されている。
・高性能なCoolSiC G2は電力変換時のエネルギー損失を低減して高効率化することでSiCの性能を活かしている。このソリューションに貢献するInfi
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Infineon、フィンランドの Qt グループとGUI開発で提携
・Infineon Technologiesは3月1日、フィンランドのソフトウェア企業Qtグループとの戦略的提携を発表した。この提携に基づきQtの軽量・高性能なグラフィックフレームワークをInfineonのグラフィック対応TRAVEO T2Gクラスターマイクロコントローラ(MCU)に搭載する。
・TRAVEO T2Gクラスターファミリーは高リフレッシュ・レートとフルHD解像度のGUI (グラフィックユーザーインターフェイス)を提供
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