Infineon、トレンチ構造ベースのSiCスーパージャンクション(TSJ)技術コンセプトを発表
・Infineon Technologiesは5月6日、シリコンカーバイド(SiC)の技術的可能性を拡張する新たな技術として、トレンチ構造ベースのSiCスーパージャンクション(TSJ)技術コンセプトを発表した。トレンチ技術とスーパージャンクション技術を組み合わせることで、より高い電力効率とコンパクトな設計が可能となる。Infineonは、このTSJ技術を活用し、自社のCoolSiC製品ポートフォリオを段階的に拡大していく予定である。....
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