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Infineon、CoolGaN双方向スイッチ650 V G5を発表
・Infineon Technologiesは5月12日、双方向の電圧と電流を能動的にブロックできる窒化ガリウム(GaN)スイッチであるCoolGaN双方向スイッチ(BDS) 650 V G5を発表した。このデバイスはコモンドレインのダブルゲート構造を採用し、同社のゲート注入トランジスタ(GIT)技術を活用することでモノリシック双方向スイッチを実現した。
・このソリューションは電気自動車(EV)充電を含む幅広いアプリケーションで大....
・このソリューションは電気自動車(EV)充電を含む幅広いアプリケーションで大....
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