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蘭Nexperia、SiCやGaN半導体生産のため独ハンブルグ工場に2億ドルを投資
・オランダの半導体メーカーNexperiaは6月27日、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの次世代ワイドバンドギャップ半導体(WBG)の開発と、ドイツのハンブルク工場での生産インフラ確立のため、2億ドルを投資する計画を発表した。シリコン(Si)ダイオードとトランジスタのためのウエハー製造能力も増強される。
・高電圧GaN DモードトランジスターとSiCダイオードの最初の生産ラインは、今年6月に操業が開始された。SiC....
・高電圧GaN DモードトランジスターとSiCダイオードの最初の生産ラインは、今年6月に操業が開始された。SiC....
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