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荷兰Nexperia投资2亿美元在德国汉堡工厂生产SiC和GaN半导体
荷兰半导体制造商Nexperia于6月27日宣布，计划投资2亿美元开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等下一代宽带隙半导体(WBG)，并在其德国汉堡工厂建立生产基础设施。还将提高硅(Si)二极管和晶体管的晶圆生产能力。
第一条高压GaN D型晶体管和和SiC二极管的生产线已于今年6月开始运营。用于SiC MOSFET和GaN HEMT的200mm生产线将在未来两年内安装在汉堡工厂。
随着洁净室面积的扩大，还增设了研发实验室，以确保....
第一条高压GaN D型晶体管和和SiC二极管的生产线已于今年6月开始运营。用于SiC MOSFET和GaN HEMT的200mm生产线将在未来两年内安装在汉堡工厂。
随着洁净室面积的扩大，还增设了研发实验室，以确保....
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