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英IQE、独X-FABとGaNパワー半導体の共同開発契約を締結
・英国の化合物半導体ウエハー有力サプライヤーIQEは4月10日、欧州を拠点とするGaN (窒化ガリウム)パワー半導体デバイスプラットフォームソリューションの開発に向けドイツの半導体ファウンドリー大手X-FAB Silicon Foundriesと共同開発契約を締結したと発表した。両社は当初2年間、650VのGaNデバイスの開発で協力する。
・今回の契約ではIQEのGaNエピタキシー設計及びプロセスに関する専門知識とX-FABの実績....
・今回の契約ではIQEのGaNエピタキシー設計及びプロセスに関する専門知識とX-FABの実績....
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