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STMicorelectronics、次世代のトラクションインバーター向け新SiCパワー技術を発表
・STMicroelectronics (ST)は9月24日、第4世代のSTPOWERシリコンカーバイド(SiC) MOSFET技術を発表した。この技術は、特にトラクションインバーター用に最適化されており、より高い効率性、小型化、軽量化、航続距離の延長を実現する。
・この最新世代のSiCデバイスは、将来の電気自動車(EV)用トラクションインバータープラットフォームに恩恵をもたらす。750Vおよび1,200Vクラスで提供され、400....
・この最新世代のSiCデバイスは、将来の電気自動車(EV)用トラクションインバータープラットフォームに恩恵をもたらす。750Vおよび1,200Vクラスで提供され、400....
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