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蘭Nexperia、放熱性能に優れたQDPAKパッケージ採用の1200V SiC MOSFETを発表
・オランダのNexperiaは6月9日、高出力かつ優れた熱性能を実現するパワー半導体用パッケージ「QDPAK」を採用した1200V炭化ケイ素(SiC) MOSFETを発表した。本デバイスは、放熱管理と機構設計(実装)を簡素化しながら、同社のSiC技術による電気的性能を発揮し、コンパクト設計における高出力化、効率向上、熱性能の改善を可能にする。製品は産業用途グレードと車載認定品の両方が用意されている。
・本製品ポートフォリオでは、オン....
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