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Infineon、次世代SiC MOSFETトレンチ技術を発表
・Infineon Technologiesは3月5日、次世代炭化ケイ素(SiC) MOSFETトレンチ技術を発表した。第2世代となるCoolSiC MOSFET 650 V/1200 V G2は出力容量や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能が前世代より最大20%改善されている。
・高性能なCoolSiC G2は電力変換時のエネルギー損失を低減して高効率化することでSiCの性能を活かしている。このソリューションに貢献するInfi....
・高性能なCoolSiC G2は電力変換時のエネルギー損失を低減して高効率化することでSiCの性能を活かしている。このソリューションに貢献するInfi....
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