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Bosch、インドで第3世代SiC半導体の新製品を発表
・Bosch Limitedは 6月10日、最新の第3世代炭化ケイ素(SiC)半導体をインドで発表した。BoschのGen 3 SiCテクノロジーは、エネルギー損失の低減、熱性能の向上、システムの複雑さと冷却要件の緩和により、よりコンパクトで効率的なパワーエレクトロニクス設計を可能にする。
・この製品によりパフォーマンスが20%向上し、EVの航続距離の延長、バッテリー効率の向上、バッテリーサイズを大きくすることなく所有コストの削減が....
・この製品によりパフォーマンスが20%向上し、EVの航続距離の延長、バッテリー効率の向上、バッテリーサイズを大きくすることなく所有コストの削減が....
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