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Infineon、超低抵抗CoolSiC MOSFET 750 V G2ファミリーを新パッケージで拡充
・Infineon Technologiesは12月10日、CoolSiC MOSFET 750V G2技術向けの新パッケージを発表した。Q-DPAKやD2PAKを含む各種パッケージが提供され25℃における標準RDS(on)抵抗値は最大60mΩとなる。
・新パッケージの導入により自動車、通信、産業用などの様々な用途に向けた製品が拡充された。4mΩという超低RDS(on)によりeFuse、高電圧バッテリー遮断スイッチ、ソリッドステー....
・新パッケージの導入により自動車、通信、産業用などの様々な用途に向けた製品が拡充された。4mΩという超低RDS(on)によりeFuse、高電圧バッテリー遮断スイッチ、ソリッドステー....
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