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英飞凌推出采用新封装的超低电阻CoolSiC MOSFET 750V G2系列
英飞凌科技于12月10日发布了适用于CoolSiC MOSFET 750V G2技术的新封装产品，提供包括Q-DPAK、D2PAK在内的多种封装，25℃下的标准RDS（on）最大值为60mΩ。
新封装的推出丰富了面向汽车、通信、工业等多领域的产品布局。4mΩ的超低RDS（on）可满足eFuse、高压电池断路开关、固态断路器、固态继电器等对静态开关性能要求较高的应用场景。
创新的顶部冷却型Q-DPAK封装具备优异的热性能与可靠性，专为....
新封装的推出丰富了面向汽车、通信、工业等多领域的产品布局。4mΩ的超低RDS（on）可满足eFuse、高压电池断路开关、固态断路器、固态继电器等对静态开关性能要求较高的应用场景。
创新的顶部冷却型Q-DPAK封装具备优异的热性能与可靠性，专为....
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