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住友電気工業、SiCパワートランジスタを開発
住友電気工業は、炭化ケイ素 (SiC) を材料とする独自構造のパワートランジスタ｢V溝型金属－酸化膜－半導体構造トランジスタ (VMOSFET)｣を開発した。このトランジスタは、電子の流れをオンオフするチャネル部分に特殊な面方位 (0-33-8) を利用しているため、欠陥の少ない酸化膜界面を形成でき、これにより十分な低オン抵抗を実現している。また、低欠陥特性を反映し高安定性も確保した。電気自動車やハイブリッド車、太陽光パワーコンディ....
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