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住友电工开发出碳化硅功率晶体管
住友电工开发出以碳化硅 (SiC) 为材料的功率晶体管“V型漕金属－氧化膜－半导体结构晶体管 (VMOSFET)”。该晶体管在控制电子流动的通道部分采用特殊的面方位 (0-33-8) ，因此可形成缺陷较少的氧化膜界面，由此实现足够的低流动阻力。此外，低缺陷特性还确保了较高的稳定性。该产品适用于纯电动车、混合动力车、太阳能空调等领域。(摘自2015年6月4日新闻)
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