三菱電機、パワー半導体「第5世代SiC-MOSFETチップ」を開発 従来比25%低減した低オン抵抗を実現
・独自のトレンチ構造を持つ第5世代SiC-MOSFETチップで、従来品から約25%低減した低オン抵抗を実現。xEV用インバーターの性能向上や小型化を可能とし、xEVの航続距離の延伸や電費改善に貢献する。2品種のサンプル提供を....
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