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三菱電機、パワー半導体「第5世代SiC-MOSFETチップ」を開発 従来比25%低減した低オン抵抗を実現
・三菱電機は6月4日、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHV)などの電動車(以下、xEV)の駆動モーター用インバーターやeAxleに使用される新しいSiC-MOSFETチップを開発したと発表した。
・独自のトレンチ構造を持つ第5世代SiC-MOSFETチップで、従来品から約25％低減した低オン抵抗を実現。xEV用インバーターの性能向上や小型化を可能とし、xEVの航続距離の延伸や電費改善に貢献する。2品種のサンプル提供を....
・独自のトレンチ構造を持つ第5世代SiC-MOSFETチップで、従来品から約25％低減した低オン抵抗を実現。xEV用インバーターの性能向上や小型化を可能とし、xEVの航続距離の延伸や電費改善に貢献する。2品種のサンプル提供を....
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