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英CGD、インバーター効率向上に向け650V GaN ICを開発
・英国のファブレス半導体企業Cambridge GaN Devices (CGD)は6月4日、車載向け650V GaN(窒化ガリウム) IC「ICeGaN」を開発したと発表した。OEMの設計者はICeGaNを用いることで、電気自動車(EV)の航続距離延長に寄与するより小型・軽量なインバーターを開発できる。ICeGaNのインターフェースは、性能特性が近いデバイスを選別したり、バランス調整用部品を追加したり、複雑な追加設計などを行ったり....
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