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英国CGD成功开发提升逆变器效率的650V GaN集成电路
6月4日，总部位于英国的无晶圆半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）宣布，已成功研发出车载650V GaN集成电路（IC）ICeGaN。车企的设计人员可利用ICeGaN开发更小、更轻的逆变器，延长电动汽车续航里程。ICeGaN的接口支持多个器件的均衡运行，无需选择性能相近的器件、添加均衡元件或进行复杂的额外设计。
新型ICeGaN器件的导通电阻仅为9mΩ，显著降低了电动汽车动力总成的损耗。此外，其与逆变器内部....
新型ICeGaN器件的导通电阻仅为9mΩ，显著降低了电动汽车动力总成的损耗。此外，其与逆变器内部....
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