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Infineon、EV向けの新IGBTチップとRC-IGBTデバイスを発表
・Infineon Technologiesは4月16日、400 Vと800 Vシステムに対応したEDT3 (第3世代電気ドライブトレイン)チップ及び800 Vシステム専用のRC-IGBT (逆導通絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)チップを発表した。新世代のEDT3は高負荷時でも総損失を最大20%削減しつつ低負荷時の効率を維持している。EDT3チップを採用した電気自動車(EV)は航続距離の延長とエネルギー消費量の削減により持続可能....
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