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米onsemi、エネルギー効率を高める次世代SiC MOSFETを発表
・米国の大手半導体メーカーonsemiは7月18日、最新世代の炭化ケイ素(SiC)技術プラットフォームEliteSiC M3e MOSFETを発表した。EliteSiC M3e MOSFET は同社独自の設計技術と生産能力により伝導損失とスイッチング損失の双方を低減した。EliteSiC M3e MOSFETは前世代製品と比較して伝導損失を30%、ターンオフ損失を最大50%削減している。また、非常に低い比抵抗値と短絡保護機能を提供す....
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