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英Cambridge GaN Devices、欧州GANEXTプロジェクトを主導
・英国の窒化ガリウム(GaN)半導体研究開発企業Cambridge GaN Devices (CGD)は6月16日、欧州13パートナーが協力する1,030万ユーロのGANEXTプロジェクトを主導して非常にエネルギー効率の高いGaNパワーモジュールを提供すると発表した。
・GANEXTプロジェクトでは、低電力用と高電力用の非常に高効率でコンパクトな次世代GaN電力モジュールプロトタイプの設計と開発を目指す。
・GaN技術の知見....
・GANEXTプロジェクトでは、低電力用と高電力用の非常に高効率でコンパクトな次世代GaN電力モジュールプロトタイプの設計と開発を目指す。
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