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英CGD、EVパワートレインアプリケーション用に100kW超の技術を発表
・英国のファブレス半導体企業Cambridge GaN Devices (CGD)は3月10日、同社のICeGaN窒化ガリウム(GaN)技術に基づく100kW超の電気自動車(EV)パワートレイン対応ソリューションの詳細を発表した。
・スマートICeGaN HEMT (高電子移動度トランジスタ) ICとIGBT (絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を同一モジュールやIPM (インテリジェントパワーモジュール)に組み合わせたComb....
・スマートICeGaN HEMT (高電子移動度トランジスタ) ICとIGBT (絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を同一モジュールやIPM (インテリジェントパワーモジュール)に組み合わせたComb....
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