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英Cambridge GaN Devices、高出力マルチレベル800 V DCインバーター実証で仏IFPENと提携
・英国の半導体企業Cambridge GaN Devices (CGD)は11月12日、フランスの公共研究・研修機関IFPENとの提携を発表した。マルチレベルの800 V DCインバーターにCGDのICeGaN 650V GaN ICを組み込んだデモシステムを開発する。
・このデモシステムでは炭化ケイ素(SiC)デバイスを上回る高出力密度(30kW/l)を実現する。また、各インバーターノードに25mΩ/650VのICを3個、合計36....
・このデモシステムでは炭化ケイ素(SiC)デバイスを上回る高出力密度(30kW/l)を実現する。また、各インバーターノードに25mΩ/650VのICを3個、合計36....
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