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Infineon、世界初の300mmパワーGaN技術を発表
・Infineon Technologies (インフィニオン)は 9月11日、世界初となる300mmパワーGaN (窒化ガリウム)ウェハー技術の開発に成功したと発表した。同社はこの画期的な技術を世界で初めて拡張可能な既存量産環境で確立した。
・Infineonはオーストリア・フィラッハ(Villach)のパワー半導体工場にある既存の300mmシリコン生産ラインに統合されたパイロットラインで300mm GaNウェハーを生産しており、....
・Infineonはオーストリア・フィラッハ(Villach)のパワー半導体工場にある既存の300mmシリコン生産ラインに統合されたパイロットラインで300mm GaNウェハーを生産しており、....
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