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オンセミ、米GlobalFoundriesと次世代GaNパワーデバイスを開発へ
・米国の半導体メーカーのonsemi (オンセミ)は12月18日、米国の大手半導体製造メーカーGlobalFoundries (GF)と提携契約を締結したと発表した。オンセミは、GFの最先端の200mm eMode GaN-on-Siliconプロセスを使用して、650Vから始まる先進的な窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの開発と生産を行うという。
・オンセミの企業戦略担当上級VPのDinesh Ramanathan氏は、「我々は....
・オンセミの企業戦略担当上級VPのDinesh Ramanathan氏は、「我々は....
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