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イスラエルのWeebit Nano、onsemiのファブで組込型ReRAM試験チップのテープアウトを完了
・イスラエルの半導体メモリー技術企業Weebit Nanoは10月6日、組込型抵抗ランダムアクセスメモリー（ReRAM / RRAM）モジュールを搭載した試験チップのテープアウト（生産向けデータ出図）を米ニューヨーク州イースト・フィッシュキル（East Fishkill）にあるonsemiの300mmファブで完了したと発表した。この試験チップはonsemiの65nmバイポーラCMOS-DMOS（BCD）プロセスであるTreoプラット....
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