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独X-FAB、自動車産業向けフラッシュメモリー・EEPROM内蔵不揮発性データストレージソリューションを発表
・ドイツの半導体ファウンドリー大手X-FAB Silicon Foundriesは12月3日、SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)技術に基づく新しいNVM (不揮発性メモリー)データストレージソリューションを発表した。X-FABは高電圧BCD-on-SOI XT011プラットフォームを使用し車載IC規格AEC Q-100グレード0準拠の32Kバイト組込フラッシュIPに4KビットのEE....
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