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Infineon、電力密度を向上させた新しいCoolSiC MOSFET 2000 Vを発表
・インフィニオン(Infineon Technologies) は3月12日、電力密度向上を求める設計者の要求に応える新製品CoolSiC MOSFETs 2000 Vを発表した。耐圧2,000Vの初のディスクリート炭化ケイ素(SiC)バイスが沿面距離14mm、空隙距離5.4mmのTO-247PLUS-4-HCCパッケージに収められている。このデバイスは太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、電気自動車の充電アプリケーションに最適である....
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