並列接続IGBT アルミインバーターケース インバーター用マイコン ウォータージャケットガイド インバーター用半導体 インバーター用センサーIC HV用リアクトルコア 800V 2.5L 900V 3.5T LFC LEB H1 HR12DE EM57 1.5T 2.0T 1.5L 1.4T 1.8L ≤875V 1200V 400V 7DCT E-CVT 6DCT 6AT Shenzhen Megmeet Electric Co., Ltd.[深圳麦格米特電気股份有限公司] Shanghai Fengtian Electronic Co., Ltd....

部品別シェア・納入情報  最終更新日: 2025/07/02

他のチップ、各種慣性センサー、加速度センサー、圧力センサー、トラクションインバーターのSiCパワーモジュール 同社の次世代SiCパワーモジュール「CSL (コンパクトSiCライン)」 および「LSL (リードフレームSiCライン) 」。1200V、9mΩの第2世代SiCを使用しており、より高い電力密度と効率を実現した。ボディダイオードの改良でスイッ...

主要部品メーカーレポート  最終更新日: 2025/06/30

。 2027年に量産開始を予定している。 東芝ではIGBTやSiCのパワーデバイスをベアダイとして提供することも可能で、ユーザーがベアチップ実装することで自由な形状のパワーモジュールを作ることが出来る。 耐圧750VのIGBT、1200VのRC-IGBTとSiCが展示されていて、コスト競争が激しくなっている6-in-1タイプよりベアダイでの提供を強化し...

市場・技術レポート  最終更新日: 2025/06/26

蘭Nexperia、D2PAK-7パッケージの1200V SiC MOSFETを発表 ・オランダのNexperiaは5月6日、電動損失に影響するRDS (on) (ドレイン・ソース間オン抵抗)の値が30、40、60 mΩの高効率で堅牢な車載用炭化ケイ素(SiC) MOSFET製品群を発表した。  ・これらのデバイスは従来産業グレードで提供されていたが今回AEC-Q101認証を取得し、電気自動車(EV)の車載充電器...

ニュース  最終更新日: 2025/05/08

Infineon、ソリッドステート配電用CoolSiC JFET技術を発表 ・Infineon Technologies (インフィニオン)は5月5日、新しいCoolSiC JFET製品ファミリーを発表した。CoolSiC JFETは高い短絡耐量、リニアモードでの熱安定性、高精度過電圧制御を備え、車載バッテリー遮断スイッチなど産業用や自動車用の幅広いアプリケーションで信頼性と効率に優れたシス...

ニュース  最終更新日: 2025/05/08

には、ディスクリート、モールド、フレームベースのモジュール、およびベアダイといった多様なパッケージ形態が含まれる。  ・この新技術をベースとする最初の製品は、自動車用トラクションインバーター向けのInfineon製1200V「ID-PAK」であり、最大800kWの出力レベルをサポートする。この技術の主なメリットとしては、RDS(on)·A (オン...

ニュース  最終更新日: 2025/05/08

期供給契約(LTSA)を締結し、SiCパワーデバイスの領域で提携すると発表した。オンセミはZEEKRにEliteSiCパワーモジュールを供給し、ZEEKRのEVのエネルギー効率と性能を高め、充電速度と航続距離を向上させる。ZEEKRはオンセミのM3E 1200V EliteSiC MOSFETを採用する。このモジュールはより高い出力と熱エネルギー効率によりメインインバーターの...

完成車メーカーの拠点  最終更新日: 2025/04/21

荷時でも総損失を最大20%削減しつつ低負荷時の効率を維持している。EDT3チップを採用した電気自動車(EV)は航続距離の延長とエネルギー消費量の削減により持続可能でコスト効率の高い運転体験を提供する。  ・750Vクラスと1200Vクラスで提供されるEDT3チップセットは高出力電流を提供するためメインインバーターに最適である。最大仮...

ニュース  最終更新日: 2025/04/18

FORVIA Hella、800 V DC-DC充電ソリューションにInfineonのCoolSiC 1200 V MOSFETを採用 ・Infineon Technologiesは1月29日、FORVIA Hellaが次世代800 V DC-DC充電ソリューションに新型CoolSiC Automotive MOSFET 1200 Vを採用したと発表した。 ・800 V自動車アーキテクチャにおける車載充電器およびDC-DCアプリケーション用に設計されたCoolSiC MOSFETは、トップサイド冷却(TSC)技...

ニュース  最終更新日: 2025/02/03

とである。「GaNパワーエレクトロニクスは、コンパクトなUSB充電器ではすでに定着しており、これらの230V電源は、600VクラスのGaNトランジスタで十分に対応できる。「電動モビリティ向けの800V電圧クラスを開拓するために、1200V GaNプロジェクトでは、シリコンの代わりにサファイアなどの代替絶縁基板を採用し、高い絶縁性（1200V以上...

市場・技術レポート  最終更新日: 2025/02/03

目度が高まり米国の半導体生産への投資が増加している米国新政権下においてますます重要な要素となっている。 ・Wolfspeedの製品カテゴリーにはパワーモジュール、ディスクリート部品、ベアダイ製品があり、いずれも750V、1200V、2300Vの各クラスで提供されている。 (Wolfspeed press release on January 22, 2025)...

ニュース  最終更新日: 2025/01/24

成功、5G/IoT見据え 三菱電機、ナガセケムテックスと長瀬産業と防塵コーティング材の共同開発へ 三菱電機、「人と協調するAI」を開発 三菱電機、パワーデバイス製作所の新製造拠点開設へ 三菱電機、パワー半導体「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ」のサンプル提供開始へ 三菱電機、TFT液晶モジュール事業を終了へ 三菱電機、人とカーナビ 自...

主要部品メーカーレポート  最終更新日: 2024/12/20

Hella GmbH & Co. KGaA (FORVIA HELLA) ドイツ Bernard Schäferbarthold (CEO) -FORVIAグループの一員として、自動車用照明機器および電子機器の部品・システムを開発、製造。合弁会社では、完成車モジュール及び空調システムを製造する。 -同社は3つの事業からなる。 照明部門：ヘッドランプ、リアコンビネーションランプ、内外装用照明 エレクトロ...

主要部品メーカーレポート  最終更新日: 2024/10/30

システムの説明パネル NEXTSQUARE社の説明パネル 電力制御機器や検査装置を扱っているNEXTSQUAREはインバーター検査装置、V2Hシステムなどをパネルで紹介していた。 インバーター検査装置は電源電圧が400V系、800V系に加えて1200V系のBEVのインバーターの出力試験が可能で、並列運転すると最大500kWに対応可能。 インバーターの負荷装...

市場・技術レポート  最終更新日: 2024/10/10

ワーモジュール、セラミック基板、セラミックボール   東芝グループのブースに出展していた東芝デバイス＆ストレージでは車載半導体のコーナーで、xEVトラクションインバーター向けパワー半導体 Si 両面放熱モジュール（1200V/350A 両面放熱ハーフブリッジ）と推奨冷却ユニットを紹介していた。   推奨冷却ユニットはデンソー製の...

市場・技術レポート  最終更新日: 2024/08/26

特徴で、SiC MOSFETの性能とメリットを最大限に引き出す鍵となる。最適なパフォーマンスを実現するため、RoadPakはNXPのGD 3160高電圧絶縁ゲートドライバと組み合わせ、高速で信頼性の高いスイッチングと障害保護を実現する。1200V RoadPakハーフブリッジSiCモジュールは、現在580A、780A、980Aで利用可能。(2022年3月21日付プレスリリースより) N...

主要部品メーカーレポート  最終更新日: 2024/07/09

Infineon、小米汽車「SU7」 EVに各種製品を提供 ・Infineon Technologiesは5月6日、先日発表された小米汽車(Xiaomi)の「SU7」電気自動車(EV)向けに炭化ケイ素(SiC)パワーモジュールHybridPACK Drive G2 CoolSiCとベアダイ製品を2027年まで提供すると発表した。  ・InfineonのCoolSiCベースのパワーモジュールは、高温動作が可能でクラス最高の性能、ドライビン...

ニュース  最終更新日: 2024/05/08

ミングチャートの表⽰や、パケットアナライザのようにプロトコルを解釈してメッセージ形式の表⽰ができる。 Scienlab回生3相ACエミュレーターSL1200Aシリーズはグリッドエッジ評価装置で、変圧器なしで30kVAから630kVAまで、AC1200Vまでの3相交流電源テストに対応できるもので、AC600とAC1200Vの2種類の電圧レンジのモデルがある。 AC600Vモデ...

市場・技術レポート  最終更新日: 2024/04/09

Infineon、次世代SiC MOSFETトレンチ技術を発表 ・Infineon Technologiesは3月5日、次世代炭化ケイ素(SiC) MOSFETトレンチ技術を発表した。第2世代となるCoolSiC MOSFET 650 V/1200 V G2は出力容量や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能が前世代より最大20%改善されている。  ・高性能なCoolSiC G2は電力変換時のエネルギー損失を低減して高効率化することでSiCの...

ニュース  最終更新日: 2024/03/07

イ素)インバーター制御モジュール(ICM)の新シリーズを発表した。  ・新しいCXT-ICM3SAシリーズは同社の既存ハードウェア・ソフトウェアを最適統合したもので、OLEA T222フィールドプログラマブル制御ユニット(FPCU)ボード付き3相1200V/340A-550A SiC MOSFETインテリジェントパワーモジュール(IPM)をOLEA APP INVERTERアプリケーションソフトウェアと組...

ニュース  最終更新日: 2024/02/29