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レゾナック、パワー半導体材料SiCエピウェハー第3世代を開発、量産開始
レゾナックは、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウェハー(エピウェハー)の第3世代品を開発、量産開始したと発表した。SiCエピウェハーは、SiC単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたSiCパワー半導体の主要材料。今回同社が開発した第三世代のハイグレードエピウェハーは、新構造のエピタキシャル技術を用いて高電流密度を実現した。これにより、電気自動車(EV)や鉄道向けに使用されるパワー半導体で要求される高出力化と....
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