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ルネサス、電動車向けインバーター用パワー半導体を発売
ルネサスエレクトロニクスは、電動車向けのインバーター用パワー半導体としてSi IGBT (シリコン絶縁ゲート型バイポーラトランジスター)を開発し、750V耐圧、300A品のサンプル出荷を開始したと発表した。量産は2023年上期に那珂工場の200mmおよび300mmラインで開始する。また2024年上期以降は、新設するパワー半導体の専用工場である甲府工場の300mmラインでも順次量産を開始する。今回開発した製品は、現行品に比べて壊れにく....
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