英飞凌拟建300毫米晶圆氮化镓功率半导体生产基地
10月27日,英飞凌宣布将在欧洲建立全球首座采用300毫米晶圆生产新一代氮化镓(GaN)功率半导体的大规模量产制造工厂。作为该项目的一部分,英飞凌将在2034年前对其位于奥地利菲拉赫(Villach)基地的既有洁净室设施投资约11亿欧元。
项目将于2027年底前投产,有助于满足人工智能数据中心、能源基础设施、电动出行、机器人及消费电子领域对高性能供电解决方案的需求。该项投资获得了《欧洲芯片法案》框架下的支持,欧盟委员会核准了3.19....
项目将于2027年底前投产,有助于满足人工智能数据中心、能源基础设施、电动出行、机器人及消费电子领域对高性能供电解决方案的需求。该项投资获得了《欧洲芯片法案》框架下的支持,欧盟委员会核准了3.19....
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