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Resonac与法国Soitec签署碳化硅功率芯片键合衬底联合开发协议
Resonac宣布与生产芯片衬底材料的法国公司Soitec签署了联合开发协议。两家公司将开发8英寸碳化硅(SiC)键合衬底，该衬底将用作功率芯片中使用的200mm(8英寸)碳化硅外延片(碳化硅晶片)的材料。
Resonac将向Soitec供应碳化硅单晶，Soitec将使用这些单晶来生产键合衬底。Soitec拥有一种独有的SmartSiC技术，可从单个碳化硅单晶衬底生产多个高质量的碳化硅晶圆。这不仅提高了生产力，还可将生产过程中的二氧....
Resonac将向Soitec供应碳化硅单晶，Soitec将使用这些单晶来生产键合衬底。Soitec拥有一种独有的SmartSiC技术，可从单个碳化硅单晶衬底生产多个高质量的碳化硅晶圆。这不仅提高了生产力，还可将生产过程中的二氧....
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