。 2027年に量産開始を予定している。 東芝ではIGBTやSiCのパワーデバイスをベアダイとして提供することも可能で、ユーザーがベアチップ実装することで自由な形状のパワーモジュールを作ることが出来る。 耐圧750VのIGBT、1200VのRC-IGBTとSiCが展示されていて、コスト競争が激しくなっている6-in-1タイプよりベアダイでの提供を強化し...

市場・技術レポート  最終更新日: 2025/06/26

とである。「GaNパワーエレクトロニクスは、コンパクトなUSB充電器ではすでに定着しており、これらの230V電源は、600VクラスのGaNトランジスタで十分に対応できる。「電動モビリティ向けの800V電圧クラスを開拓するために、1200V GaNプロジェクトでは、シリコンの代わりにサファイアなどの代替絶縁基板を採用し、高い絶縁性（1200V以上...

市場・技術レポート  最終更新日: 2025/02/03

システムの説明パネル NEXTSQUARE社の説明パネル 電力制御機器や検査装置を扱っているNEXTSQUAREはインバーター検査装置、V2Hシステムなどをパネルで紹介していた。 インバーター検査装置は電源電圧が400V系、800V系に加えて1200V系のBEVのインバーターの出力試験が可能で、並列運転すると最大500kWに対応可能。 インバーターの負荷装...

市場・技術レポート  最終更新日: 2024/10/10

ワーモジュール、セラミック基板、セラミックボール   東芝グループのブースに出展していた東芝デバイス＆ストレージでは車載半導体のコーナーで、xEVトラクションインバーター向けパワー半導体 Si 両面放熱モジュール（1200V/350A 両面放熱ハーフブリッジ）と推奨冷却ユニットを紹介していた。   推奨冷却ユニットはデンソー製の...

市場・技術レポート  最終更新日: 2024/08/26

ミングチャートの表⽰や、パケットアナライザのようにプロトコルを解釈してメッセージ形式の表⽰ができる。 Scienlab回生3相ACエミュレーターSL1200Aシリーズはグリッドエッジ評価装置で、変圧器なしで30kVAから630kVAまで、AC1200Vまでの3相交流電源テストに対応できるもので、AC600とAC1200Vの2種類の電圧レンジのモデルがある。 AC600Vモデ...

市場・技術レポート  最終更新日: 2024/04/09

きのパワーモジュールで、裏側の冷却水接続用接栓がある。 6インチSiCウェハーの展示 直冷型6in1タイプSiCパワーモジュールの展示放熱フィン付き（左）とウォータジャケット付き（右）パワーモジュール   750Vと1200V耐圧のディスクリートパッケージのパワーモジュール 車載充電器（OBC）、DC-DCコンバーター用で小型パ...

市場・技術レポート  最終更新日: 2024/02/28

説明画面 ミネベアミツミグループのABLIC（エイブリック）はパワー半導体、車載用ICを展示していた。 パワー半導体はIGBT/FRDのベアチップが製品で、モジュールメーカー向けにIGBT/FRDのベアチップを販売していて耐圧650V～1200Vのラインナップがあり、会場には750V/275AのIGBT（チップ切り出し前のウエハー）とHefei Cpower Technology（中国・...

市場・技術レポート  最終更新日: 2023/12/12

パワーモジュールを使用している。 パワーモジュールは水冷で、フロントインバーターにはパワーモジュールの両側に沿って伸びるアルミニウム冷却チャネルがある。リアインバーターパワーモジュール（インフィニオン製1200V 200A）は直冷型のため、パワーモジュールに銅ニッケルメッキ「PinFin」ヒートシンクが一体化されていて、...

市場・技術レポート  最終更新日: 2023/09/21

ニクスのSiCパワーMOSFETはTeslaのModel 3に他社に先駆けて採用されたことで知られている。 SiCパワーモジュールはイタリアとシンガポールの自社工場で生産されていて、動作温度は最高200℃、電圧範囲のバリエーションは650V～1200V、パッケージ6種類のバリエーションとなっている。 展示パネル左側のパッケージサンプルの下段中央のも...

市場・技術レポート  最終更新日: 2023/09/04

インバーター） 800V対応SiC PEU800V対応SiC PEUの説明画面 Schaeffler（シェフラー）の800V対応SiC PEUは、連続出力：330kW、最大出力：500kWのハイパフォーマンスBEV向けのインバーターで、最大70kW/Lの出力密度を実現している。 1200V耐圧のSiCパワーモジュールを採用し、2kHz～22kHzの可変スイッチング周波数での制御が可能となっているがパ...

市場・技術レポート  最終更新日: 2023/07/10

uctor Co., Ltd.の日本におけるR&Dセンターとして設立された、パワー半導体のファブレス企業である。 ED3 SiC MOSFETモジュールはモーター駆動用インバーターやFCVのDC-DCコンバーター向けのドライブ回路外付けのSiCモジュールで、1200V、1700Vで300A～800Aのバリエーションがある。 HPD SiC MOSFETモジュールは6 in 1タイプの3相インバーター用の銅Pinf...

市場・技術レポート  最終更新日: 2023/02/24

企業で、中国のLeapers Semiconductor Co., Ltd.の日本におけるR＆Dセンターとして設立された会社である。   ED3 SiC MOSFETモジュールは電動車のモーター駆動用インバーターやFCVのDC-DCコンバーターをターゲットとしたSiCモジュールで、1200V、1700Vで300A～800Aのバリエーションがあり、ドライブ回路はユーザーが外付けして使用する。   ED3Sは浮遊...

市場・技術レポート  最終更新日: 2022/02/15

ジュールやSiCパワーモジュール等を扱っている。SiCなどの半導体チップは購入品（中国製ではない）で、中国の工場でパワーモジュールに実装して商品としている。   電動車用として6in1のSiC MOSFETパワーモジュールがあり、1200V/400A、600A、800A、750V/600A、800A、1000Aの製品ラインナップで展示していた。   モジュールのサイズはインフィ...

市場・技術レポート  最終更新日: 2021/07/14

されている。新開発のインバータはバッテリー電圧800Vのシステムに対応したもので、ポルシェのEV Taycanに向けて開発し、2019年第2四半期から量産を開始しているとみられる。   800V対応インバータはパワーデバイスの700Vから1200V耐圧品への変更に代表される各部品の高耐電圧化に加え、絶縁構造部品の工夫による大型化を回避しながら...

市場・技術レポート  最終更新日: 2020/07/27

ではHybridPACK Driveと名付けた電動車インバーターアプリケーション向けのSi、SiCパワーモジュールが展示されていた。   Si、SiC パワーモジュール   写真左側は750V、820Aの6in1直接水冷式のIGBT（Siパワーモジュール）、写真右側は1200V、400Aの6in1直接水冷式のMOSFET（SiCパワーモジュール）で、2020年半ばにリリース予定とのこと。   HybridPACK Do...

市場・技術レポート  最終更新日: 2020/02/18

は研究開発サンプルであるが、東京大学 藤本研究室、NSK等と共同研究中の走行中ワイヤレス給電インホイールモーター第3世代の搭載性向上に貢献している。   このトランスファーモールド型SiCパワーモジュールは定格電圧1200V、定格電流400A、動作最高温度200℃で、小型化とともにモールド材の改善により耐熱性、熱伝導性が向上し...

市場・技術レポート  最終更新日: 2019/10/23