蘭Nexperia、D2PAK-7パッケージの1200V SiC MOSFETを発表 ・オランダのNexperiaは5月6日、電動損失に影響するRDS (on) (ドレイン・ソース間オン抵抗)の値が30、40、60 mΩの高効率で堅牢な車載用炭化ケイ素(SiC) MOSFET製品群を発表した。  ・これらのデバイスは従来産業グレードで提供されていたが今回AEC-Q101認証を取得し、電気自動車(EV)の車載充電器...

ニュース  最終更新日: 2025/05/08

Infineon、ソリッドステート配電用CoolSiC JFET技術を発表 ・Infineon Technologies (インフィニオン)は5月5日、新しいCoolSiC JFET製品ファミリーを発表した。CoolSiC JFETは高い短絡耐量、リニアモードでの熱安定性、高精度過電圧制御を備え、車載バッテリー遮断スイッチなど産業用や自動車用の幅広いアプリケーションで信頼性と効率に優れたシス...

ニュース  最終更新日: 2025/05/08

には、ディスクリート、モールド、フレームベースのモジュール、およびベアダイといった多様なパッケージ形態が含まれる。  ・この新技術をベースとする最初の製品は、自動車用トラクションインバーター向けのInfineon製1200V「ID-PAK」であり、最大800kWの出力レベルをサポートする。この技術の主なメリットとしては、RDS(on)·A (オン...

ニュース  最終更新日: 2025/05/08

荷時でも総損失を最大20%削減しつつ低負荷時の効率を維持している。EDT3チップを採用した電気自動車(EV)は航続距離の延長とエネルギー消費量の削減により持続可能でコスト効率の高い運転体験を提供する。  ・750Vクラスと1200Vクラスで提供されるEDT3チップセットは高出力電流を提供するためメインインバーターに最適である。最大仮...

ニュース  最終更新日: 2025/04/18

FORVIA Hella、800 V DC-DC充電ソリューションにInfineonのCoolSiC 1200 V MOSFETを採用 ・Infineon Technologiesは1月29日、FORVIA Hellaが次世代800 V DC-DC充電ソリューションに新型CoolSiC Automotive MOSFET 1200 Vを採用したと発表した。 ・800 V自動車アーキテクチャにおける車載充電器およびDC-DCアプリケーション用に設計されたCoolSiC MOSFETは、トップサイド冷却(TSC)技...

ニュース  最終更新日: 2025/02/03

目度が高まり米国の半導体生産への投資が増加している米国新政権下においてますます重要な要素となっている。 ・Wolfspeedの製品カテゴリーにはパワーモジュール、ディスクリート部品、ベアダイ製品があり、いずれも750V、1200V、2300Vの各クラスで提供されている。 (Wolfspeed press release on January 22, 2025)...

ニュース  最終更新日: 2025/01/24

Infineon、小米汽車「SU7」 EVに各種製品を提供 ・Infineon Technologiesは5月6日、先日発表された小米汽車(Xiaomi)の「SU7」電気自動車(EV)向けに炭化ケイ素(SiC)パワーモジュールHybridPACK Drive G2 CoolSiCとベアダイ製品を2027年まで提供すると発表した。  ・InfineonのCoolSiCベースのパワーモジュールは、高温動作が可能でクラス最高の性能、ドライビン...

ニュース  最終更新日: 2024/05/08

Infineon、次世代SiC MOSFETトレンチ技術を発表 ・Infineon Technologiesは3月5日、次世代炭化ケイ素(SiC) MOSFETトレンチ技術を発表した。第2世代となるCoolSiC MOSFET 650 V/1200 V G2は出力容量や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能が前世代より最大20%改善されている。  ・高性能なCoolSiC G2は電力変換時のエネルギー損失を低減して高効率化することでSiCの...

ニュース  最終更新日: 2024/03/07

イ素)インバーター制御モジュール(ICM)の新シリーズを発表した。  ・新しいCXT-ICM3SAシリーズは同社の既存ハードウェア・ソフトウェアを最適統合したもので、OLEA T222フィールドプログラマブル制御ユニット(FPCU)ボード付き3相1200V/340A-550A SiC MOSFETインテリジェントパワーモジュール(IPM)をOLEA APP INVERTERアプリケーションソフトウェアと組...

ニュース  最終更新日: 2024/02/29

蘭Nexperia、初の炭化ケイ素MOSFETを発表 ・オランダのNexperiaは11月30日、同社初となる炭化ケイ素(SiC) MOSFETを発表した。3ピンTO-247パッケージでドレインソース間オン抵抗RDS (on)の値が40mΩのNSF040120L3A0と80mΩのNSF080120L3A0の2つの1200Vディスクリートデバイスを発売し量産に入った。将来的には車載グレードのMOSFETも提供する。 ・今回の発表は...

ニュース  最終更新日: 2023/12/04

立簡素化などの利点を提供する。この製品ファミリーは4パック、6パック、トーテムポール構成の選択肢を提供することでシステム設計の柔軟性を高めている。 ・モジュールには低RDS (on)値を保証するSiC MOSFET技術を活用した1200VのSiCパワースイッチが採用されている。同社の実績ある堅牢なACEPACK技術を活用したモジュールは優れた信頼...

ニュース  最終更新日: 2023/10/30

、中国の広東省深圳に拠点を置く新エネルギー車(NEV)向け充電市場におけるリーディング企業Infypower (深圳英飛源技術有限公司、以下、Infypower)との提携を発表した。Infineonは電気自動車(EV)充電ステーションの効率を向上させる1200V CoolSiC MOSFETパワー半導体デバイスをInfypowerに提供する。・Infypower の30kW DC充電モジュールは、1200V CoolSiC MOSF...

ニュース  最終更新日: 2023/09/25

BorgWarner、炭化ケイ素に関するonsemiとの提携を10億ドル以上に拡大 BorgWarner (ボルグワーナー)は、onsemiと炭化ケイ素(SiC)分野において戦略的提携を拡大すると発表した。生涯価値で10億ドル超に上る契約だという。BorgWarnerはonsemiのEliteSiC 1200V/750Vパワーデバイスを自社のVIPERパワーモジュールに組み込む。BorgWarnerの炭化ケイ素トラクション...

ニュース  最終更新日: 2023/07/19

Infineon、車載用TO263-7パッケージの新世代1200 V CoolSiCトレンチMOSFETを発表 ・Infineon Technologiesは6月13日、車載用途向けにTO263-7パッケージの新世代1200V CoolSiC MOSFETを発表した。電力密度と効率を高めることで、双方向充電を可能にするとともに車載充電(OBC)およびDC-DC用途のシステムコストを低減する。このデバイスはスイッチング損失を第1...

ニュース  最終更新日: 2023/06/16

Infineon、車載ソリューション向けの効率的な炭化ケイ素チップ開発でSchweizerと提携 ・Infineonは4月26日、Schweizer Electronicと提携して車載ソリューション向けの効率的な炭化ケイ素(SiC)チップを開発したと発表した。両社はInfineonの1200V CoolSiCチップをプリント基板(PCB)に直接実装するソリューションを開発中である。これにより電気自動車（E...

ニュース  最終更新日: 2023/05/01

契約(LTSA)を締結し、SiCパワーデバイスの領域で提携すると発表した。 ・オンセミはZEEKRにEliteSiCパワーモジュールを供給し、ZEEKRのEVのエネルギー効率と性能を高め、充電速度と航続距離を向上させる。・ZEEKRはオンセミのM3E 1200V EliteSiC MOSFETを採用する。このモジュールはより高い出力と熱エネルギー効率によりメインインバーターの...

ニュース  最終更新日: 2023/04/27

国星光電、半導体パワーデバイス製品が車載用の認証を取得 佛山市国星光電股份有限公司（国星光電）は、自社開発した1200V/10A SiC-SBD（SiC ショットキーバリアダイオード）デバイスが第三者検査機関の信頼性試験に合格し、AEC-Q101車載用認証を取得したと発表した。SiC-SBDデバイスはTO-247-2Lパッケージ形式を採用し、高い安全性と安定...

ニュース  最終更新日: 2023/03/24

の一部としてフロントとリアのトラクションインバーターをサポートするソリューションを提供する。これはonsemiのEliteSiC 1200 V 3x ハーフブリッジモジュールで構成されている。・オンセミはこの提携の一環としてまずEliteSiC 1200Vトラクションインバーターパワーモジュールを納入する。EliteSiCパワーモジュールにはピン互換性があるた...

ニュース  最終更新日: 2023/02/01

STMicroelectronics、EV用車載充電器やDC/DCコンバーターでの使用に適したパワー半導体ブリッジを発表 STMicroelectronicsは、ACEPACK SMITパッケージとして5種類のパワー半導体ブリッジを発表した。5種類とは、2種類のSTPOWER 650 V MOSFETハーフブリッジ、600V超高速ダイオードブリッジ、1200V半制御全波整流器、1200Vサイリスタ制御ブリッジレッグ。すべ...

ニュース  最終更新日: 2023/01/12

スイッチングエネルギー、同期整流における高い性能を持つ。現代自動車は、起亜「EV6」など複数のモデルで共有されているE-GMP EVプラットフォームにSTの第3世代 のACEPACK DRIVE SiC-MOSFETベースのパワーモジュールを採用した。1200Vの ADP280120W3、 ADP360120W3、ADP480120W3(-L)はすでに生産を開始しており、750VのADP46075W3 とADP61075W3は2023年3月までに...

ニュース  最終更新日: 2022/12/12