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Infineon、EV充電器用62mm CoolSiC MOSFETモジュールを発表
Infineonは、シリコンカーバイドベースとしたCoolSiC MOSFET 1200 Vモジュールファミリーに新たな業界標準パッケージを追加したと発表した。トレンチチップ技術に基づく62mmのデバイスはハーフブリッジ・トポロジーで設計されている。新パッケージは、IGBT技術ではシリコンが電力密度の限界に達する250kW以上の中出力アプリケーション向けにシリコンカーバイドが使用される道を開くもので、電気自動車 (EV)用充電器など....
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