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英飞凌发布用于EV充电器的62mm CoolSiC MOSFET模块
英飞凌(Infineon)宣布，在基于碳化硅的CoolSiC MOSFET 1200 V模块系列增加新行业标准封装。基于沟槽芯片技术的62mm设备采用半桥拓扑设计。新封装为250kW以上（硅通过IGBT技术达到功率密度的极限）的中等输出功率应用开辟使用碳化硅的道路，适合用作纯电动车(EV)充电器等。62mm的CoolSiC MOSFET 1200 V有6mΩ/250A、3mΩ/357A、2mΩ/500A版本。通过应用英飞凌的Cool....
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