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英飞凌与罗姆就碳化硅功率半导体签署谅解备忘录
9月25日，英飞凌与罗姆就碳化硅功率半导体封装签署合作谅解备忘录。两家公司计划成为对方特定封装的第二供应商。这将使客户未来能够从英飞凌或罗姆处采购兼容封装的器件。
罗姆计划采用英飞凌TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK dual、H-DPAK等创新的顶部冷却封装平台。
英飞凌将开发一款兼容封装，采用罗姆具备碳化硅半桥结构的DOT-247封装。这将为英飞凌近期发布的Double TO-247 IGBT系列新增碳化硅半桥解....
罗姆计划采用英飞凌TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK dual、H-DPAK等创新的顶部冷却封装平台。
英飞凌将开发一款兼容封装，采用罗姆具备碳化硅半桥结构的DOT-247封装。这将为英飞凌近期发布的Double TO-247 IGBT系列新增碳化硅半桥解....
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