ルネサス、ADAS向けフィン構造MONOSフラッシュメモリーセルを開発  [ 日本 ]

ルネサスエレクトロニクスは、回路線幅が16/14nm世代以降のフラッシュメモリー内蔵マイコン向けにフィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOSフラッシュメモリーセルの開発に世界で初めて成功したと発表した。同社は現在、SG-MONOS技術を適用した40nm世代マイコンを量産中、28nm...
<2016年12月07日(水)>