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东芝在欧洲发布80V N沟道MOSFET，扩充48V车载产品阵容
5月12日，东芝欧洲子公司Toshiba Electronics Europe发布两款符合AEC-Q101标准的80V N沟道MOSFET产品。XPH2R608QB和XPH3R908QB是首批采用最新一代U-MOSX-H工艺的产品，该工艺能够实现高效的功率控制，并实现了极低的导通电阻（RDS（ON））。
导通电阻（RDS（ON））参数如下：XPH2R608QB在总栅极电荷为95nC（typ.）时，最大导通电阻为2.55mΩ，XPH3....
导通电阻（RDS（ON））参数如下：XPH2R608QB在总栅极电荷为95nC（typ.）时，最大导通电阻为2.55mΩ，XPH3....
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