ーIC インバーター用マイコン 32ビットマイコン(AURIX™ TC3x) AC/DC インバーター（出典元：MUNRO & ASSOCIATES, USA） 並列接続IGBT アルミインバーターケース ウォータージャケットガイド HV用リアクトルコア 800V 2.5L 900V LEB H1 HR12DE EM57 1200V 3.5T LFC M15A-FXE LEB 1.5T 2.0T 1.5L 1.4T 1.8L ≤875V 400V 7DCT E-CVT 6DCT 6AT ローム (株) Shanghai Haimosic Semiconductor Co., Ltd.[上...

最終更新日: 2026/04/09 部品別シェア・納入情報

加えて、V2G機能により車両のバッテリーの電力を外部に交流電源として給電することも可能となっている。 22kW OBCの展示22kW OBC試作機 EV充電用30kWデュアルアクティブ ブリッジコンバーター試作機は、ITRIが開発した1200V/150AのSiCパワーモジュールを採用した急速充電器用のコンバーターで、入力電圧400V～800V、出力電圧200V～800V...

最終更新日: 2026/02/25 市場・技術レポート

ム&縦通メンバー 電動冷却ファンモーター 電子スロットルボディ コンパクトドアアクチュエーター 高電圧パイロヒューズ 高電圧コンタクター 高電圧コンタクター 高電圧パイロヒューズ 高電圧ソリッドステートリレー TUNDRA 1200V SiC パワーモジュール/ TUNDRA パワーコア ATICA 1200V SiC パワーモジュール (TUNDRAの次世代モデル)/ カスタム設...

最終更新日: 2025/12/15 主要部品メーカーレポート

成功、5G/IoT見据え 三菱電機、ナガセケムテックスと長瀬産業と防塵コーティング材の共同開発へ 三菱電機、「人と協調するAI」を開発 三菱電機、パワーデバイス製作所の新製造拠点開設へ 三菱電機、パワー半導体「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ」のサンプル提供開始へ 三菱電機、TFT液晶モジュール事業を終了へ 三菱電機、人とカーナビ 自...

最終更新日: 2025/11/21 主要部品メーカーレポート

特徴で、SiC MOSFETの性能とメリットを最大限に引き出す鍵となる。最適なパフォーマンスを実現するため、RoadPakはNXPのGD 3160高電圧絶縁ゲートドライバと組み合わせ、高速で信頼性の高いスイッチングと障害保護を実現する。1200V RoadPakハーフブリッジSiCモジュールは、現在580A、780A、980Aで利用可能。(2022年3月21日付プレスリリースより) N...

最終更新日: 2025/11/21 主要部品メーカーレポート

米Wolfspeed、電動モビリティ推進システム向け1200V SiCパワーモジュールを発表 ・シリコンカーバイド(SiC)技術を手掛ける米Wolfspeedは11月17日、高出力インバータの性能基準を刷新する新型1200V SiC 6パックパワーモジュールを発表した。最新の第4世代SiC MOSFET技術と新開発のパッケージングを組み合わせることで、競合製品に比べ動作温度下...

最終更新日: 2025/11/20 ニュース

業界パートナーとの協力の下、堅牢なRISC-Vエコシステムの構築の最前線にいる。今後数年以内にRISC-Vベースの新しい車載用マイクロコントローラーファミリーを発表する予定。 REF Audio GaNb 650W (1MHz) 次世代CoolSiC MOSFET G2 1200V Easy 2Cモジュール：CoolSiC 1200V/200-400A、Press-FIT、175℃連続接合温度、銀焼結ダイを採用。主に22kWを超えるサ...

最終更新日: 2025/11/14 部品メーカー検索

力：280kW ピークトルク：5000Nm ピーク回転数：1620rpm CLTC効率：92% サイズ（長さ*幅*高さ）：507mm×507mm×340mm 重さ：85kg 750V/400A S0 パッケージ 750V/650A S2パッケージ 750V/650A S3+パッケージ 750V/820A S3+パッケージ 750V/1200A S3+パッケージ 1200V/600A S3+パッケージ 1200V/600A S3+パッケージ 1200V/600A L5パッケージ 最大システム電圧950V、出力電力最大350kWの...

最終更新日: 2025/10/17 部品メーカー検索

期供給契約(LTSA)を締結し、SiCパワーデバイスの領域で提携すると発表した。オンセミはZEEKRにEliteSiCパワーモジュールを供給し、ZEEKRのEVのエネルギー効率と性能を高め、充電速度と航続距離を向上させる。ZEEKRはオンセミのM3E 1200V EliteSiC MOSFETを採用する。このモジュールはより高い出力と熱エネルギー効率によりメインインバーターの...

最終更新日: 2025/09/24 完成車メーカーの拠点

Hella GmbH & Co. KGaA (FORVIA HELLA) ドイツ Bernard Schäferbarthold (CEO) -FORVIAグループの一員として、自動車用照明機器および電子機器の部品・システムを開発、製造。加えて、完成車モジュールの製造も行っている。 -同社は3つの事業からなる。 照明部門：ヘッドランプ、リアコンビネーションランプ、内外装用照明 エレクトロニクス部門：自...

最終更新日: 2025/09/16 主要部品メーカーレポート

SCiB 23Ah セル 二次電池SCiB SAP24 車載モーター制御ソリューション 車載用大電流モータードライバーIC Cu2O(亜酸化銅)タンデム型太陽電池 Smart MCD, MOSFET, Gate Driver IGBT/FRD, RC-IGBT and SiC MOSFET dies 両面放熱と液体冷却システムを備えた1200V/460A中電圧マルチチップ・パッケージ（MV-MCP） xEVトラクション・インバーター用ベアダイ ウエハー BMS & シ...

最終更新日: 2025/09/10 部品メーカー検索

他のチップ、各種慣性センサー、加速度センサー、圧力センサー、トラクションインバーターのSiCパワーモジュール 同社の次世代SiCパワーモジュール「CSL (コンパクトSiCライン)」 および「LSL (リードフレームSiCライン) 」。1200V、9mΩの第2世代SiCを使用しており、より高い電力密度と効率を実現した。ボディダイオードの改良でスイッ...

最終更新日: 2025/07/29 主要部品メーカーレポート

。 2027年に量産開始を予定している。 東芝ではIGBTやSiCのパワーデバイスをベアダイとして提供することも可能で、ユーザーがベアチップ実装することで自由な形状のパワーモジュールを作ることが出来る。 耐圧750VのIGBT、1200VのRC-IGBTとSiCが展示されていて、コスト競争が激しくなっている6-in-1タイプよりベアダイでの提供を強化し...

最終更新日: 2025/06/26 市場・技術レポート

Shanghai Inventchip Technology Co., Ltd.[上海瞻芯電子科技股份有限公司](旧 上海瞻芯電子科技有限公司) 中国 ■株主：Shanghai Zhuanxin Enterprise Management Consulting Partnership (Limited partnership) パワー半導体 IC Xpeng (小鵬) G9 (China) 炭化ケイ素(SiC）パワー半導体 PCIM Asia Shanghai 2025 1200V SiC HPDパッケージモジュール 35Wフライバック電源 200Vフライバック電源 ソ...

最終更新日: 2025/06/23 部品メーカー検索

) プレスフィット端子 カメラモジュール用コネクター 車載用高速伝送HSDコネクター 車載用高速伝送Mini同軸コネクター 防水コネクター SiC 1000A/3, 3kV IGBT 800A/3, 3,3kV IGBT 600A/3, 3,3kV IGBT 450A/3, 3,3kV SiC 1600A/1,7kV SiC 1350A/1,7kV EV SiC 800A/1200V 2in1 EV IGBT 800A/750V 6in1 F, FH version IHM package with IGBT portfolio 次世代パッケージ nHPD2 IGBTポートフォリオプラン EV...

最終更新日: 2025/05/20 部品メーカー検索

蘭Nexperia、D2PAK-7パッケージの1200V SiC MOSFETを発表 ・オランダのNexperia (ネクスペリア)は5月6日、電動損失に影響するRDS (on) (ドレイン・ソース間オン抵抗)の値が30、40、60 mΩの高効率で堅牢な車載用炭化ケイ素(SiC) MOSFET製品群を発表した。  ・これらのデバイスは従来産業グレードで提供されていたが今回AEC-Q101認証を取得し、電気自動車(...

最終更新日: 2025/05/08 ニュース

Infineon、ソリッドステート配電用CoolSiC JFET技術を発表 ・Infineon Technologies (インフィニオン)は5月5日、新しいCoolSiC JFET製品ファミリーを発表した。CoolSiC JFETは高い短絡耐量、リニアモードでの熱安定性、高精度過電圧制御を備え、車載バッテリー遮断スイッチなど産業用や自動車用の幅広いアプリケーションで信頼性と効率に優れたシス...

最終更新日: 2025/05/08 ニュース

には、ディスクリート、モールド、フレームベースのモジュール、およびベアダイといった多様なパッケージ形態が含まれる。  ・この新技術をベースとする最初の製品は、自動車用トラクションインバーター向けのInfineon製1200V「ID-PAK」であり、最大800kWの出力レベルをサポートする。この技術の主なメリットとしては、RDS(on)·A (オン...

最終更新日: 2025/05/08 ニュース

荷時でも総損失を最大20%削減しつつ低負荷時の効率を維持している。EDT3チップを採用した電気自動車(EV)は航続距離の延長とエネルギー消費量の削減により持続可能でコスト効率の高い運転体験を提供する。  ・750Vクラスと1200Vクラスで提供されるEDT3チップセットは高出力電流を提供するためメインインバーターに最適である。最大仮...

最終更新日: 2025/04/18 ニュース

FORVIA Hella、800 V DC-DC充電ソリューションにInfineonのCoolSiC 1200 V MOSFETを採用 ・Infineon Technologiesは1月29日、FORVIA Hellaが次世代800 V DC-DC充電ソリューションに新型CoolSiC Automotive MOSFET 1200 Vを採用したと発表した。 ・800 V自動車アーキテクチャにおける車載充電器およびDC-DCアプリケーション用に設計されたCoolSiC MOSFETは、トップサイド冷却(TSC)技...

最終更新日: 2025/02/03 ニュース