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フラウンホーファー研究機構、ハイブリッド回路基板を用いたパワーエレクトロニクスを開発
・フラウンホーファー研究機構レーザー技術研究所(ILT)は6月29日、パワーエレクトロニクス用の安価なFR4 (耐熱性ガラスエポキシ)回路基板を利用できる新しい工業生産プロセスの開発に成功したと発表した。
・ハイブリッド回路基板と呼ばれるこの基板は、従来のセラミック製のパワーエレクトロニクス基板に比べてはるかに汎用的で、コストも20分の1まで低減できる。これにより高コストが課題となっている市場の課題を中期的に解決し、将来のモビリティ....
・ハイブリッド回路基板と呼ばれるこの基板は、従来のセラミック製のパワーエレクトロニクス基板に比べてはるかに汎用的で、コストも20分の1まで低減できる。これにより高コストが課題となっている市場の課題を中期的に解決し、将来のモビリティ....
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