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蘭Nexperia、650V窒化ガリウム技術を発表
・オランダの半導体メーカーNexperiaは6月10日、窒化ガリウム(GaN) FETデバイスの新シリーズを発表した。次世代高電圧GaN HEMT H2技術を採用しTO-247パッケージと同社独自のCCPAK表面実装パッケージで提供する。
・新デバイスはエピ貫通ビアという回路形成技術を採用して欠陥を低減しチップ面積を24%縮小した。従来型TO-247パッケージの初ロットではオン抵抗がわずか41 mΩ (最大値。25℃代表値は35....
・新デバイスはエピ貫通ビアという回路形成技術を採用して欠陥を低減しチップ面積を24%縮小した。従来型TO-247パッケージの初ロットではオン抵抗がわずか41 mΩ (最大値。25℃代表値は35....
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