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英飞凌扩充产品阵容，CoolSiC MOSFET 650 V G2系列新增75 mΩ型号
英飞凌于8月26日宣布扩充CoolSiC MOSFET 650 V G2系列，新增75 mΩ型号。该器件提供多种封装选择，并同时支持顶部冷却(TSC)和底部冷却(BSC)，适用于各种应用中的中大功率开关电源，包括人工智能服务器、电动汽车和电动出行充电桩等。
CoolSiC MOSFET 650 V G2基于第二代(G2)CoolSiC技术打造，不同封装各有优势。TOLL和ThinTOLL 8x8封装可在印刷电路板上提供高热循环稳定性....
CoolSiC MOSFET 650 V G2基于第二代(G2)CoolSiC技术打造，不同封装各有优势。TOLL和ThinTOLL 8x8封装可在印刷电路板上提供高热循环稳定性....
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