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德国弗劳恩霍夫研究所IAF将推进电动汽车充电用氮化镓功率IC的开发
弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(IAF)于6月10日宣布，将推进使用氮化镓(GaN)功率半导体的创新晶体管和功率集成电路(氮化镓功率IC)的开发，这些将应用于电力电子。
IAF目前正在致力于实现最高耐压1,200V以上的氮化镓基HEMT(高电子迁移率晶体管)技术，可用于电动汽车双向充电等各种二氧化碳减排措施。
该研究所的目标是在未来10年内制造出适合工业用途的垂直氮化镓功率IC，为实现气候中和社会转型创造下一个技术飞跃。
该研究所....
IAF目前正在致力于实现最高耐压1,200V以上的氮化镓基HEMT(高电子迁移率晶体管)技术，可用于电动汽车双向充电等各种二氧化碳减排措施。
该研究所的目标是在未来10年内制造出适合工业用途的垂直氮化镓功率IC，为实现气候中和社会转型创造下一个技术飞跃。
该研究所....
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