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比亚迪半导体携新产品亮相北京国际汽车零部件展会
比亚迪半导体宣布，携新产品亮相北京国际汽车零部件展会。
在功率器件板块，比亚迪半导体展示了IGBT晶圆、SiC MOSFET功率模块、多型号多功能的IGBT功率模块与单管产品。展出产品均为车规级，IGBT模块采用深亚微米级沟槽栅场终止IGBT芯片技术和超快速软恢复二极管芯片，拥有极低损耗和优异的过流能力；SiC MOSFET功率模块采用的双面银烧结工艺与pinfin底板，让模块具备更强的散热能力，为电动汽车安上一颗安全、强有力的“芯....
在功率器件板块，比亚迪半导体展示了IGBT晶圆、SiC MOSFET功率模块、多型号多功能的IGBT功率模块与单管产品。展出产品均为车规级，IGBT模块采用深亚微米级沟槽栅场终止IGBT芯片技术和超快速软恢复二极管芯片，拥有极低损耗和优异的过流能力；SiC MOSFET功率模块采用的双面银烧结工艺与pinfin底板，让模块具备更强的散热能力，为电动汽车安上一颗安全、强有力的“芯....
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