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长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片
长飞先进宣布，其自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线正式发布。
第四代平面型产品PG4E采用多级P阱注入技术，1,200V首发规格常温与175℃下比导通电阻（Rsp）分别为2.2mΩ·cm²和4.4mΩ·cm²；反向偏置电压提升至1,400V，经3,000小时可靠性考核，阈值电压、耐压及导通电阻变异性分别小于3.5%、1%和1%；短路耐受时间达2.1μs，雪崩能量EAS为2,711mJ，较竞品分别提升27%和11.....
第四代平面型产品PG4E采用多级P阱注入技术，1,200V首发规格常温与175℃下比导通电阻（Rsp）分别为2.2mΩ·cm²和4.4mΩ·cm²；反向偏置电压提升至1,400V，经3,000小时可靠性考核，阈值电压、耐压及导通电阻变异性分别小于3.5%、1%和1%；短路耐受时间达2.1μs，雪崩能量EAS为2,711mJ，较竞品分别提升27%和11.....
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